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1. (WO2019041311) SUBSTRAT COMPOSITE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS LE COMPRENANT
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N° de publication : WO/2019/041311 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/100213
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 01.09.2017
CIB :
H01L 33/12 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
12
ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
Déposants :
深圳前海小有技术有限公司 SHENZHEN QIANHAI XIAOYOU TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 前海深港合作区前湾一路1号A栋201室 Room 201, A Building No.1, Qianwan 1st Road, Zone of Shenzhen-Hongkong Cooperation Shenzhen, Guangdong 518000, CN
深圳佑荟半导体有限公司 SHENZHEN UVEI SILICON CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 福田区华富街道彩田路东方新天地广场C座2006-122 Room 2006-122, C Tower, Oriental Plaza Caitian Road, Huafu Street, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
何宗江 HE, Zongjiang; CN
贾志强 JIA, Zhiqiang; CN
Mandataire :
深圳国新南方知识产权代理有限公司 SHENZHEN CHINA INNOVATION SOUTH INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY CO., LTD.; 中国广东省深圳市 福田区深南大道1006号深圳国际创新中心C座22层陈艳欢 CHEN, Yanhuan 22F, Block C, Shenzhen International Innovation Center No.1006 Shennan Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPOSITE SUBSTRATE, PREPARATION METHOD THEREFOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAME
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS LE COMPRENANT
(ZH) 复合衬底及其制备方法以及包括该复合衬底的半导体器件
Abrégé :
(EN) A composite substrate and a preparation method therefor. The composite substrate comprises base substrates (101, 201, 301) and nitride layers (102, 202, 302) located on the base substrates (101, 201, 301); each base substrate (101, 201, 301) is embedded with at least two adjustment substrates (103, 104, 203, 204, 303, 304) having different thermal expansion coefficients; and the adjacent adjustment substrates (103, 104, 203, 204, 303, 304) are spaced apart by base substrate (101, 201, 301) materials. By introducing in the base substrates (101, 201, 301) the adjustment substrates (103, 104, 203, 204, 303, 304) having the different thermal expansion coefficients, and forming the nitride template layers on the base substrates (101, 201, 301), the composite substrate is prepared, thus curing the defect of large difference in thermal expansion coefficients of the base substrates (101, 201, 301) and an epitaxial semiconductor material; and by setting the template layer, the growth quality of the epitaxial semiconductor material is improved. Further provided is a semiconductor device comprising the composite substrate which greatly improves the quality and performance of the formed semiconductor device.
(FR) La présente invention concerne un substrat composite et son procédé de préparation. Le substrat composite comprend des substrats de base (101, 201, 301) et des couches de nitrure (102, 202, 302) situées sur les substrats de base (101, 201, 301) ; chaque substrat de base (101, 201, 301) est intégré avec au moins deux substrats d'ajustement (103, 104, 203, 204, 303, 304) ayant des coefficients de dilatation thermique différents ; et les substrats d'ajustement adjacents (103, 104, 203, 204, 303, 304) sont espacés par des matériaux de substrat de base (101, 201, 301). Par l'introduction dans les substrats de base (101, 201, 301) des substrats d'ajustement (103, 104, 203, 204, 303, 304) ayant les différents coefficients de dilatation thermique, et par formation des couches modèles de nitrure sur les substrats de base (101, 201, 301), le substrat composite est préparé, ce qui permet de traiter le défaut de grande différence de coefficients de dilatation thermique des substrats de base (101, 201, 301) et d'un matériau semi-conducteur épitaxial ; et par définition de la couche modèle, la qualité de croissance du matériau semi-conducteur épitaxial est améliorée. L'invention concerne en outre un dispositif à semi-conducteurs comprenant le substrat composite qui améliore considérablement la qualité et les performances du dispositif à semi-conducteurs formé.
(ZH) 一种复合衬底及其制备方法,该复合衬底包含基础衬底(101、201、301)和位于所述基础衬底(101、201、301)上的氮化物层(102、202、302),所述基础衬底(101、201、301)中嵌入有至少两种具有不同热膨胀系数的调节衬底(103、104、203、204、303、304),相邻调节衬底(103、104、203、204、303、304)之间由基础衬底(101、201、301)材料间隔开。通过在基础衬底(101、201、301)中引入具有不同热膨胀系数的调节衬底(103、104、203、204、303、304),同时在基础衬底(101、201、301)上形成氮化物模板层,由此制备的复合衬底,改善了基础衬底(101、201、301)与外延半导体材料热膨胀系数差较大的缺陷,同时模板层的设置可以提高外延半导体材料生长的质量。还提供了包含所述复合衬底的半导体器件,该复合衬底极大地提高了形成的半导体器件的质量和性能。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)