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1. (WO2019041248) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
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N° de publication : WO/2019/041248 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/099983
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
Inventeurs :
LIU, Wei; CN
Mandataire :
TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; CHEN, Yuan 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR, ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SUBSTRAT DE RÉSEAU, APPAREIL D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abrégé :
(EN) Provided is a thin film transistor. The thin film transistor includes a first source electrode (20) and a first drain electrode (30) spaced apart from each other; an active layer (10) on the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), the active layer (10) having a channel part (1) between the first source electrode (20) and the first drain electrode (30), a source electrode contact part (2a) in contact with the first source electrode (20), and a drain electrode contact part (3a) in contact with the first drain electrode (30); a second source electrode (21) on a side of the source electrode contact part (2a) distal to the first source electrode (20), the second source electrode (21) being electrically connected to the first source electrode (20);and a second drain electrode (31) on a side of the drain electrode contact part (3a) distal to the first drain electrode (30), the second drain electrode (31)being electrically connected to the first drain electrode (30).
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces. Le transistor à couches minces comprend une première électrode de source (20) et une première électrode de drain (30) espacées l'une de l'autre; une couche active (10) sur la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), la couche active (10) ayant une partie de canal (1) entre la première électrode de source (20) et la première électrode de drain (30), une partie de contact d'électrode de source (2a) en contact avec la première électrode de source (20), et une partie de contact d'électrode de drain (3a) en contact avec la première électrode de drain (30); une seconde électrode de source (21) sur un côté de la partie de contact d'électrode de source (2a) distal par rapport à la première électrode de source (20), la seconde électrode de source (21) étant électroconnectée à la première électrode de source (20); et une seconde électrode de drain (31) sur un côté de la partie de contact d'électrode de drain (3a) distal par rapport à la première électrode de drain (30), la seconde électrode de drain (31) étant électroconnectée à la première électrode de drain (30).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)