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1. (WO2019041153) GRAVURE ET MEULAGE MÉCANIQUE DE COUCHES DE FILM EMPILÉES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/041153 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/099571
Date de publication : 07.03.2019 Date de dépôt international : 30.08.2017
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
Déposants :
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474 Mail Station 3999 Dallas, TX 75243, US
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-Shinjuku 6-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-8366, JP (JP)
Inventeurs :
KONG, Jianjun; CN
TANG, Sheyu; CN
ZHANG, Tianyi; CN
YU, Qinxu; CN
YANG, Shengpin; CN
Mandataire :
JEEKAI & PARTNERS; Floor 15A, Building No. 5, GTFC Plaza 9 Guang'an Road, Fengtai District Beijing 100055, CN
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ETCHING AND MECHANICAL GRINDING FILM-LAYERS STACKED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) GRAVURE ET MEULAGE MÉCANIQUE DE COUCHES DE FILM EMPILÉES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method includes wet-etching a first film layer (210) of a plurality of film layers (205, 210) stacked on a semiconductor substrate (200), the wet-etching of the first film layer (210) performed using a first chemical, where the first film layer (210) is an outermost film layer stacked on the semiconductor substrate (200). The method further includes wet-etching a second film layer (205) of the plurality of film layers (205, 210) using a second chemical. The method also includes using a mechanical grinding wheel to grind the semiconductor substrate (200) to reduce a thickness of the semiconductor substrate (200).
(FR) La présente invention concerne un procédé consistant à graver par voie humide une première couche de film (210) d'une pluralité de couches de film (205, 210) empilées sur un substrat semi-conducteur (200), la gravure humide de la première couche de film (210) étant réalisée à l'aide d'un premier produit chimique, et la première couche de film (210) étant la couche de film empilée la plus à l'extérieur sur le substrat semi-conducteur (200). Le procédé consiste en outre à graver par voie humide une seconde couche de film (205) de la pluralité de couches de film (205, 210) à l'aide d'un second produit chimique. Le procédé consiste également à faire appel à une meule mécanique de façon à meuler le substrat semi-conducteur (200) afin de réduire une épaisseur du substrat semi-conducteur (200).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)