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1. (WO2019039290) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DESTINÉ À UNE DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE
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N° de publication : WO/2019/039290 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029765
Date de publication : 28.02.2019 Date de dépôt international : 08.08.2018
CIB :
G03F 7/004 (2006.01) ,C07C 381/12 (2006.01) ,C07D 231/54 (2006.01) ,C07D 265/10 (2006.01) ,C07D 275/04 (2006.01) ,C07D 281/18 (2006.01) ,C07D 309/08 (2006.01) ,C07D 319/06 (2006.01) ,C07D 327/08 (2006.01) ,C07D 333/42 (2006.01) ,C07D 333/46 (2006.01) ,C07D 333/76 (2006.01) ,C07D 335/02 (2006.01) ,C07D 493/04 (2006.01) ,C07D 493/08 (2006.01) ,C08K 5/42 (2006.01) ,C08L 101/00 (2006.01) ,G03F 1/82 (2012.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,C09K 3/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
04
Chromates
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
381
Composés contenant du carbone et du soufre et comportant des groupes fonctionnels non couverts par les groupes C07C301/-C07C337/163
12
Composés sulfonium
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
231
Composés hétérocycliques contenant des cycles diazole-1, 2 ou diazole-1, 2 hydrogéné
54
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
265
Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome d'azote et un atome d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle
04
Oxazines-1, 3; Oxazines-1, 3 hydrogénées
06
non condensées avec d'autres cycles
08
comportant une double liaison entre chaînons cycliques ou entre chaînon cyclique et chaînon non cyclique
10
avec des atomes d'oxygène liés directement aux atomes de carbone du cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
275
Composés hétérocycliques contenant des cycles thiazole-1, 2 ou thiazole-1, 2 hydrogéné
04
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
281
Composés hétérocycliques contenant des cycles de plus de six chaînons comportant un atome d'azote et un atome de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle
18
Cycles à huit chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
309
Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle, non condensés avec d'autres cycles
02
ne comportant pas de liaison double entre chaînons cycliques ou entre chaînons cycliques et chaînons non cycliques
08
avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p.ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone du cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
319
Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle
04
Dioxanes-1, 3; Dioxanes-1, 3 hydrogénés
06
non condensés avec d'autres cycles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
327
Composés hétérocycliques contenant des cycles comportant des atomes de soufre et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle
02
un atome d'oxygène et un atome de soufre
06
Cycles à six chaînons
08
condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
333
Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
02
non condensés avec d'autres cycles
04
non substitués sur l'atome de soufre du cycle
26
avec des hétéro-atomes ou avec des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p.ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux atomes de carbone du cycle
42
avec des radicaux nitro ou nitroso liés directement aux atomes de carbone du cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
333
Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
02
non condensés avec d'autres cycles
46
substitués sur l'atome de soufre du cycle
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
333
Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
50
condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
76
Dibenzothiophènes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
335
Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle
02
non condensés avec d'autres cycles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
493
Composés hétérocycliques contenant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes dans le système condensé
02
dans lesquels le système condensé contient deux hétérocycles
04
Systèmes condensés en ortho
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
D
COMPOSÉS HÉTÉROCYCLIQUES
493
Composés hétérocycliques contenant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes dans le système condensé
02
dans lesquels le système condensé contient deux hétérocycles
08
Systèmes pontés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
K
EMPLOI COMME ADJUVANTS DE SUBSTANCES NON MACROMOLÉCULAIRES INORGANIQUES OU ORGANIQUES
5
Emploi d'ingrédients organiques
36
Composés contenant du soufre, du sélénium ou du tellure
41
Composés contenant du soufre lié à l'oxygène
42
Acides sulfoniques; Leurs dérivés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
L
COMPOSITIONS CONTENANT DES COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
101
Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
68
Procédés de préparation non couverts par les groupes G03F1/20-G03F1/50105
82
Procédés auxiliaires, p.ex. nettoyage ou inspection
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3
Substances non couvertes ailleurs
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
八木 一成 YAGI Kazunari; JP
Mandataire :
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-16086424.08.2017JP
Titre (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN-FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK, PATTERN-FORMING METHOD FOR RESIST FILM-EQUIPPED MASK BLANK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RAYONS ACTINIQUES OU AU RAYONNEMENT, FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DESTINÉ À UNE DÉCOUPE DE MASQUE ÉQUIPÉE D'UN FILM DE RÉSERVE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法
Abrégé :
(EN) Provided are: an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has excellent resolution, exposure latitude, and pattern shape properties; and a resist film, a pattern-forming method, a method for producing an electronic device, a resist film-equipped mask blank, and a pattern-forming method for a resist film-equipped mask blank, which use said actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition. This actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises: a compound that generates an acid represented by specific general formula (I) upon being irradiated with an actinic ray or radiation; and a resin.
(FR) L'invention concerne : une composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement qui présente une excellente résolution, une excellente latitude d'exposition et des propriétés de forme de motif ; un film de réserve, un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, une découpe de masque équipée d'un film de réserve, et un procédé de formation de motif destiné à une découpe de masque équipée d'un film de réserve, qui utilisent ladite composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement. Cette composition de résine sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement comporte : un composé qui génère un acide représenté par la formule générale spécifique (I) lorsqu'il est exposé à un rayon actinique ou à un rayonnement ; une résine.
(JA) 解像力、露光ラチチュード、および、パターン形状特性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、レジスト膜付きマスクブランクス、及び、レジスト膜付きマスクブランクスのパターン形成方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、活性光線又は放射線の照射により特定の一般式(I)で表される酸を発生する化合物と、樹脂とを含有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)