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1. (WO2019039103) COMPOSÉ DE TUNGSTÈNE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM MINCE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM MINCE
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N° de publication : WO/2019/039103 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/025392
Date de publication : 28.02.2019 Date de dépôt international : 04.07.2018
CIB :
C07F 17/00 (2006.01) ,C07F 11/00 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
17
Metallocènes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
11
Composés contenant des éléments du 6ème groupe de la classification périodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants :
株式会社ADEKA ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 東京都荒川区東尾久七丁目2番35号 2-35, Higashiogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo 1168554, JP
Inventeurs :
齋藤 昭夫 SAITO, Akio; JP
白鳥 翼 SHIRATORI, Tsubasa; JP
青木 雄太郎 AOKI, Yutaro; JP
Mandataire :
曾我 道治 SOGA, Michiharu; JP
梶並 順 KAJINAMI, Jun; JP
大宅 一宏 OHYA, Kazuhiro; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15856521.08.2017JP
Titre (EN) TUNGSTEN COMPOUND, RAW MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM
(FR) COMPOSÉ DE TUNGSTÈNE, MATIÈRE PREMIÈRE POUR LA FORMATION DE FILM MINCE ET PROCÉDÉS DE PRODUCTION DE FILM MINCE
(JA) タングステン化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides a tungsten compound represented by general formula (1) (wherein X represents a halogen atom, R1-R5 each independently represent a hydrogen atom or a C1-C5 alkyl group, R6 represents a tert-butyl group or a tert-pentyl group, and R7 represents a C1-C5 alkyl group; however, R7 represents a C1-C3 or C5 alkyl group when R1-R5 are all hydrogen atoms and R6 is a tert-butyl group, and when R1-R5 are all methyl groups and R6 is a tert-butyl group.)
(FR) La présente invention concerne un composé de tungstène représenté par la formule générale (1) (dans laquelle X représente un atome d'halogène, R1-R5 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle en C1-C5, R6 représente un groupe tert-butyle ou un groupe tert-pentyle, et R7 représente un groupe alkyle en C1-C5; cependant, R7 représente un groupe alkyle en C1-C3 ou C5 lorsque R1-R5 représentent tous des atomes d'hydrogène et R6 représente un groupe tert-butyle, et lorsque R1-R5 représentent tous des groupes méthyle et R6 représente un groupe tert-butyle.)
(JA) 本発明は、下記一般式(1)で表されるタングステン化合物を提供することにある: (式中、Xは、ハロゲン原子を表し、R1~R5は、各々独立に、水素原子又は炭素原子数1~5のアルキル基を表し、R6は、第三ブチル基又は第三ペンチル基を表し、R7は、炭素数原子数1~5のアルキル基を表す。ただし、R1~R5が全て水素原子であり、R6が第三ブチル基である場合、及びR1~R5が全てメチル基であり、R6が第三ブチル基である場合は、R7は、炭素原子数1~3又は5のアルキル基を表す。)
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)