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1. (WO2019037997) SUPPORT ET COMPOSANT COMPRENANT UNE COUCHE TAMPON ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT
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N° de publication : WO/2019/037997 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/069910
Date de publication : 28.02.2019 Date de dépôt international : 23.07.2018
CIB :
H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Inventeurs :
ALTIERI-WEIMAR, Paola; DE
NEUDECKER, Ingo; DE
ZITZLSPERGER, Michael; DE
GRÖTSCH, Stefan; DE
KOCH, Holger; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 119 344.824.08.2017DE
Titre (EN) CARRIER AND COMPONENT WITH A BUFFER LAYER, AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT
(FR) SUPPORT ET COMPOSANT COMPRENANT UNE COUCHE TAMPON ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT
(DE) TRÄGER UND BAUTEIL MIT PUFFERSCHICHT SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS
Abrégé :
(EN) The invention specifies a carrier (9) with a buffer layer (3) or specifies a component (100), in particular with a carrier of this kind. The carrier is metallic, wherein the buffer layer has a flow stress which is at least 10 MPa and at most 300 MPa. In particular, the carrier has a main body (90) which, in respect of its material composition, is designed in such a way that a flow stress of the main body is greater than the flow stress of the buffer layer. The component has, for example, a semiconductor chip (10) with a substrate (1) and a semiconductor body (2) which is arranged on said substrate, wherein the carrier has a coefficient of thermal expansion which is at least 1.5 times as high as a coefficient of thermal expansion of the substrate or of the semiconductor chip. The semiconductor chip is fastened, by means of a connecting layer (4), on a mounting surface (94) of the carrier in such a way that the connecting layer is arranged between the semiconductor chip and the buffer layer. The invention further specifies a method for producing a component of this kind.
(FR) L'invention concerne un support (9) comprenant une couche tampon (3), ou un composant (100) présentant en particulier un tel support. Le support est constitué de métal, la couche tampon présentant une contrainte d'écoulement qui est comprise entre 10 MPa et 300 MPa. Le support présente en particulier un corps de base (90) dont la composition de matériau est telle qu'une contrainte d'écoulement du corps de base est supérieure à la contrainte d'écoulement de la couche tampon. Le composant présente une puce semi-conductrice (10) pourvue d'un substrat (1) et d'un corps semi-conducteur (2) disposé sur ce substrat, le support présentant un coefficient de dilatation thermique qui équivaut à au moins 1,5 fois le coefficient de dilatation thermique du substrat ou de la puce semi-conductrice. La puce semi-conductrice est fixée au moyen d'une couche de liaison (4) sur une surface de montage (94) du support de telle sorte que la couche de liaison est disposée entre la puce semi-conductrice et la couche tampon. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un composant de ce type.
(DE) Es wird ein Träger (9) mit einer Pufferschicht (3) oder ein Bauteil (100) insbesondere mit einem solchen Träger angegeben. Der Träger ist metallisch ausgebildet, wobei die Pufferschicht eine Fließspannung aufweist, die mindestens 10 MPa und höchstens 300 MPa ist. Insbesondere weist der Träger einen Grundkörper (90) auf, der bezüglich dessen Materialzusammensetzung derart ausgebildet ist, dass eine Fließspannung des Grundkörpers größer ist als die Fließspannung der Pufferschicht. Das Bauteil weist etwa einen Halbleiterchip (10) mit einem Substrat (1) und einem darauf angeordneten Halbleiterkörper (2) auf, wobei der Träger einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist, der mindestens 1,5-mal so groß ist wie ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Substrats oder des Halbleiterchips. Der Halbleiterchip ist mittels einer Verbindungsschicht (4) auf einer Montagefläche (94) des Trägers derart befestigt ist, dass die Verbindungsschicht zwischen dem Halbleiterchip und der Pufferschicht angeordnet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteils angegeben.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)