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1. (WO2019034504) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
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N° de publication : WO/2019/034504 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/071576
Date de publication : 21.02.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
H03K 17/0812 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01) ,H03K 17/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08
Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
081
sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0812
par des dispositions prises dans le circuit de commande
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16
Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
17
Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
18
Modifications pour indiquer l'état d'un commutateur
Déposants :
ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart, DE
Inventeurs :
BAUMHOEFER, Thorsten; DE
ROGOV, Rostislav; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 214 217.015.08.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR ACTUATING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR SWITCH, IN PARTICULAR IN A COMPONENT OF A MOTOR VEHICLE
(FR) PROCÉDÉ D’ACTIVATION D’AU MOINS UN COMMUTATEUR À SEMI-CONDUCTEUR, EN PARTICULIER DANS UN COMPOSANT D’UN VÉHICULE AUTOMOBILE
(DE) VERFAHREN ZUM ANSTEUERN MINDESTENS EINES HALBLEITER-SCHALTERS, INSBESONDERE IN EINEM BAUTEIL EINES KRAFTFAHRZEUGS
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for actuating at least one semiconductor switch, in particular in a component of a motor vehicle. The at least one semiconductor switch can be switched with a control voltage (1) according to the following method steps: a1) specifying the control voltage (1) in a tolerance range (2) and a2) monitoring whether a control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch exceeds at least one threshold (4, 5), wherein at least the following method step is carried out at at least one control time: b1) ascertaining a difference between the control voltage (1) actually being applied to the at least one semiconductor switch and the at least one threshold, the control voltage (1) specified according to step a1) being manipulated according to the at least one control time using the result from step b1).
(FR) L’invention concerne un procédé d’activation d’au moins un commutateur à semi-conducteur, en particulier dans un composant d’un véhicule automobile, selon lequel le ou les commutateurs à semi-conducteur peuvent être commutés par une tension de commande (1) selon les étapes suivantes : a1) spécification de la tension de commande (1) dans une plage de tolérance (2), a2) surveillance permettant de savoir si une tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur dépasse au moins une valeur limite (4, 5), au moins l'étape suivante étant mise en œuvre à au moins un instant de contrôle : b1) détermination d’une différence entre la tension de commande (1) effectivement présente au niveau du ou des commutateurs à semi-conducteur et la ou les valeurs limites, la tension de commande (1) spécifiée à l’étape a1) étant modifiée après le ou les instants de contrôle en utilisant le résultat de l’étape b1).
(DE) Verfahren zum Ansteuern mindestens eines Halbleiter-Schalters insbesondere in einem Bauteil eines Kraftfahrzeugs, wobei der mindestens eine Halbleiter-Schalter mit einer Steuerungsspannung (1) gemäß der folgenden Verfahrensschritte geschaltet werden kann: a1) Vorgeben der Steuerungsspannung (1) in einem Toleranzbereich (2), a2) Überwachen, ob eine tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegende Steuerungsspannung (1) mindestens einen Grenzwert (4,5) überschreitet, wobei an mindestens einem Kontrollzeitpunkt zumindest der folgende Verfahrensschritt durchgeführt wird: b1) Ermitteln einer Differenz zwischen der tatsächlich an dem mindestens einen Halbleiter-Schalter anliegenden Steuerungsspannung (1) und dem mindestens einen Grenzwert, wobei die gemäß Schritt al) vorgegebene Steuerungsspannung (1) nach dem mindestens einen Kontrollzeitpunkt unter Verwendung des Ergebnisses von Schritt b1) manipuliert wird.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)