Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019033595) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT MATRICIEL DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/033595 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/111248
Date de publication : 21.02.2019 Date de dépôt international : 16.11.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,G03F 7/26 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 NO.9-2 Tangming Road,Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518132, CN
Inventeurs :
徐洪远 XU, Hongyuan; CN
Mandataire :
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) ESSEN PATENT&TRADEMARK AGENCY; 中国广东省深圳市 福田区深南大道6021号喜年中心A座1709-1711 Hailrun Complex Block A Room 1709-1711 No.6021 Shennan Blvd,, Futian District ShenZhen, Guangdong 518040, CN
Données relatives à la priorité :
201710696945.515.08.2017CN
Titre (EN) MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT MATRICIEL DE TRANSISTOR EN COUCHES MINCES
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法
Abrégé :
(EN) Provided is a manufacturing method of a thin film transistor array substrate. In a third photomasking process, a hydrophobic treatment is performed on a surface of a photoresist to form a hydrophobic group (110, 210). Existence of the hydrophobic group (110, 210) prevents a transparent metallic solution and an OLED material from covering the surface of the photoresist, such that the photoresist can be removed easily, thereby improving photoresist removal efficiency and efficiency of a manufacturing process. Existence of the photoresist enables the OLED material to form a fixed pattern (212), thereby saving a photomasking process, and reducing manufacturing costs.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat matriciel de transistor en couches minces. Dans un troisième processus de masquage photo, un traitement hydrophobe est réalisé sur une surface d'une résine photosensible afin de former un groupe hydrophobe (110, 210). L'existence du groupe hydrophobe (110, 210) empêche une solution métallique transparente et un matériau OLED de recouvrir la surface de la résine photosensible, de sorte que la résine photosensible peut être facilement éliminée, ce qui permet d'améliorer l'efficacité d'élimination de résine photosensible et l'efficacité d'un processus de fabrication. L'existence de la résine photosensible permet au matériau OLED de former un motif fixe (212), épargnant ainsi un processus de masquage photo, et réduisant les coûts de fabrication.
(ZH) 一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,在第三道光罩工艺中,对光阻表面进行疏水性处理,形成疏水性基团(110、210);而疏水性基团(110、210)的存在,使得溶液型透明金属和OLED材料不会覆盖在光阻表面,便于光阻的剥离,使得剥离效率以及制程效率提高;而光阻的存在使得OLED材料能形成固定的图案(212),节省了一道光罩,降低了制作成本。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)