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1. (WO2019033505) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
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N° de publication : WO/2019/033505 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/102614
Date de publication : 21.02.2019 Date de dépôt international : 21.09.2017
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
84
le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
Déposants :
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国广东省深圳市 光明新区公明街道塘明大道9-2号 No. 9-2, Tangming Rd, Gongming Street, Guangming New District Shenzhen, Guangdong 518000, CN
Inventeurs :
赵阳 ZHAO, Yang; CN
陈剑鸿 CHEN, Jianhong; CN
Mandataire :
深圳市威世博知识产权代理事务所 (普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806 Zhongdi Building China University of Geosciences Base, No. 8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710709567.X17.08.2017CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE AND PREPARATION METHOD THEREFOR
(FR) SUBSTRAT DE RÉSEAU ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
(ZH) 一种阵列基板及该阵列基板的制备方法
Abrégé :
(EN) An array substrate and a preparation method therefor. The array substrate comprises: a base substrate 100; a thin film transistor (200) provided on the base substrate (100), a data line (300) electrically connected to a source electrode (201) of the thin film transistor (200), a pixel electrode (400) electrically connected to a drain electrode (202) of the thin film transistor (200); the data line (300) and the pixel electrode (400) are provided in different layers respectively, a conductive transparent layer (500) is further provided between the layers where the data line (300) and the pixel electrode (400) are located, and the data line (300), the conductive transparent layer (500) and the pixel electrode layer (400) are stacked and are insulated from each other. The invention can reduce the interference of the data line electric field to pixel electrodes in the array substrate.
(FR) La présente invention concerne un substrat de réseau et son procédé de préparation. Le substrat de réseau comprend : un substrat de base (100) ; un transistor à couches minces (200) disposé sur le substrat de base (100), une ligne de données (300) connectée électriquement à une électrode de source (201) du transistor à couches minces (200), une électrode de pixel (400) connectée électriquement à une électrode de drain (202) du transistor à couches minces (200) ; la ligne de données (300) et l'électrode de pixel (400) sont disposées dans différentes couches respectivement, une couche conductrice transparente (500) est en outre disposée entre les couches où la ligne de données (300) et l'électrode de pixel (400) sont situées, et la ligne de données (300), la couche conductrice transparente (500) et la couche d'électrode de pixel (400) sont empilées et sont isolées les unes des autres. L'invention peut réduire l'interférence du champ électrique de la ligne de données vers des électrodes de pixel dans le substrat de réseau.
(ZH) 一种阵列基板及阵列基板的制备方法,阵列基板包括:衬底基板(100);设置在衬底基板(100)上的薄膜晶体管(200)、与薄膜晶体管(200)的源极(201)电连接的数据线(300)、与薄膜晶体管(200)的漏极(202)电连接的像素电极(400);其中,数据线(300)与像素电极(400)分别设置在不同层中,数据线(300)与像素电极(400)所在层之间进一步设有导电透明层(500),数据线(300)、导电透明层(500)、像素电极层(400)叠设置且相互之间绝缘。能够减少阵列基板中像素电极受到数据线电场的干扰。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)