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1. (WO2019033481) MASQUE POLYMÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION S'Y RAPPORTANT ET UTILISATION CORRESPONDANTE
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N° de publication : WO/2019/033481 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/101276
Date de publication : 21.02.2019 Date de dépôt international : 11.09.2017
CIB :
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
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Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04
Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 305 Room, Building C5, Biolake of Optics Valley No. 666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs :
唐凡 TANG, Fan; CN
Mandataire :
深圳市铭粤知识产权代理有限公司 MING & YUE INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM; 中国广东省深圳市 南山区南山街道前海路泛海城市广场2栋604室 Room 604, Building 2, Oceanwide City Square Qianhai Road, Nanshan Street, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518066, CN
Données relatives à la priorité :
201710713991.118.08.2017CN
Titre (EN) POLYMER MASK AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND USE THEREOF
(FR) MASQUE POLYMÈRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION S'Y RAPPORTANT ET UTILISATION CORRESPONDANTE
(ZH) 一种高分子掩膜版及其制作方法和应用
Abrégé :
(EN) Disclosed are a polymer mask (1) and a manufacturing method therefor, and the use of the polymer mask (1) in the manufacturing of OLEDs, wherein the polymer mask (1) includes a bearing substrate (11) and a sacrificial layer (12) and a mask (13) successively laminated and arranged on the bearing substrate (11); the mask (13) includes a polymer film layer (131) and several holes (132) provided on the polymer film layer (131) and running through the polymer film layer (131); and the polymer film layer (131) is doped with magnetic nanoparticles. The manufacturing method for the polymer mask (1) comprises the steps of: S1. manufacturing a sacrificial layer (12) on a bearing substrate (11); S2. coating a polymer precursor doped with magnetic nanoparticles on the sacrifice layer (12) and curing same into a film, and forming a primary polymer film (13a); S3. ablating, by means of a photomask mask (21) and by means of laser scanning, the primary polymer film (13a) on the areas not shielded by the photomask mask (21) to form holes (132) and to form a mask (13), so as to obtain a polymer mask precursor (1a); and S4. after washing and drying the polymer mask precursor (1a), weakening the acting force between the bearing substrate (11) and the mask (13) to obtain the polymer mask (1).
(FR) L'invention concerne un masque polymère (1) et un procédé de production s'y rapportant, et l'utilisation du masque polymère (1) dans la production d'OLED, le masque polymère (1) comprenant un substrat de support (11), et une couche sacrificielle (12) et un masque (13) successivement stratifiés et agencés sur le substrat de support (11); le masque (13) comprenant une couche de film polymère (131) et plusieurs trous (132) disposés sur la couche de film polymère (131) et s'étendant à travers la couche de film polymère (131); et la couche de film polymère (131) étant dopée avec des nanoparticules magnétiques. Le procédé de production du masque polymère (1) comporte les étapes suivantes : S1. production d'une couche sacrificielle (12) sur un substrat de support (11); S2. revêtement d'un précurseur de polymère dopé avec des nanoparticules magnétiques sur la couche sacrificielle (12) et durcissement de ce dernier en un film, et formation d'un film polymère primaire (13a); S3. ablation, au moyen d'un masque de photomasque (21) et au moyen d'un balayage laser, le film polymère primaire (13a) sur les zones non protégées par le masque de photomasque (21) en vue de former des trous (132) et de former un masque (13), de façon à obtenir un précurseur de masque polymère (1a); et S4. après le lavage et le séchage du précurseur de masque polymère (1a), affaiblissement de la force d'action entre le substrat de support (11) et le masque (13) en vue d'obtenir le masque polymère (1).
(ZH) 一种高分子掩膜版(1)及其制作方法、以及该高分子掩膜版(1)在制作OLED中的应用,该高分子掩膜版(1)包括承载基板(11)以及依次叠层设置于承载基板(11)上的牺牲层(12)和掩膜(13);掩膜(13)包括高分子膜层(131)以及开设在高分子膜层(131)上并贯穿高分子膜层(131)的若干孔洞(132),高分子膜层(131)中掺有磁性纳米颗粒。该高分子掩膜版(1)的制作方法,包括步骤:S1、在承载基板(11)上制作牺牲层(12);S2、在牺牲层(12)上涂布掺有磁性纳米颗粒的高分子前驱体并固化成膜,形成高分子原膜(13a);S3、利用光罩掩膜版(21)采用激光扫描对高分子原膜(13a)上未被光罩掩膜版(21)遮挡的区域进行烧蚀形成孔洞(132)以形成掩膜(13),获得高分子掩膜版前驱体(1a);S4、清洗并干燥高分子掩膜版前驱体(1a)后,弱化承载基板(11)与掩膜(13)之间的作用力,获得高分子掩膜版(1)。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)