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1. (WO2019033036) PROCÉDÉ PSEUDO-SOI
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N° de publication : WO/2019/033036 N° de la demande internationale : PCT/US2018/046324
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
Déposants :
KIONIX, INC. [US/US]; 36 Thornwood Drive Ithaca, New York 14850-1263, US
Inventeurs :
HELLER, Martin; US
Mandataire :
TABIBI, Ardeshir; US
SHU, Emily; US
O'CONNOR, Daniel J.; US
KORSH, George J.; US
ZOTTOLA, Dana; US
BLAISE, Russell P.; US
Données relatives à la priorité :
15/685,87924.08.2017US
62/544,70811.08.2017US
Titre (EN) PSEUDO SOI PROCESS
(FR) PROCÉDÉ PSEUDO-SOI
Abrégé :
(EN) A method of processing a semiconductor substrate having a first conductivity type includes, in part, forming a first implant region of a second conductivity type in the semiconductor substrate where the first implant region is characterized by a first depth, forming a second implant region of the first conductivity type in the semiconductor substrate where the second implant region is characterized by a second depth smaller than the first depth, forming a porous layer within the semiconductor substrate where the porous layer is adjacent the first implant region, and growing an epitaxial layer on the semiconductor substrate thereby causing the porous layer to collapse and form a cavity.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat en semi-conducteur ayant un premier type de conductivité, comprenant, en partie, la formation d'une première région d'implant ayant un deuxième type de conductivité dans le substrat en semi-conducteur, la première région d'implant étant caractérisée par une première profondeur, la formation d'une deuxième région d'implant du premier type de conductivité dans le substrat en semi-conducteur, la deuxième région d'implant étant caractérisée par une deuxième profondeur plus petite que la première profondeur, la formation d'une couche poreuse à l'intérieur du substrat en semi-conducteur où la couche poreuse est adjacente à la première région d'implant, et la croissance d'une couche épitaxiale sur le substrat en semi-conducteur, ce qui amène la couche poreuse à s'affaisser et à former une cavité.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)