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1. (WO2019033009) LECTURE DE COHÉRENCE ÉTENDUE ET UNIQUE D'UN SPIN DE LACUNE DE SILICIUM DANS UN DIAMANT
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N° de publication : WO/2019/033009 N° de la demande internationale : PCT/US2018/046287
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
B82Y 10/00 (2011.01) ,G11C 11/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
10
Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
Déposants :
PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US/US]; Holyoke Center 17 Quincy Street Cambridge, MA 02138, US
Inventeurs :
SUKACHEV, Denis, D.; US
SIPAHIGIL, Alp; US
NGUYEN, Christian, Thieu; US
BHASKAR, Mihir, Keshav; US
EVANS, Ruffin, E.; US
LUNKIN, Mikhail, D.; US
Mandataire :
HA, Yung-Hoon; US
BERTULLI, Scott; US
ANDERSON, Thomas, E.; US
BEVILACQUA, Michael, J.; US
BARAZESH, Ellyar, Y.; US
Données relatives à la priorité :
62/544,25411.08.2017US
Titre (EN) EXTENDED COHERENCE AND SINGLE-SHOT READOUT OF A SILICON-VACANCY SPIN IN DIAMOND
(FR) LECTURE DE COHÉRENCE ÉTENDUE ET UNIQUE D'UN SPIN DE LACUNE DE SILICIUM DANS UN DIAMANT
Abrégé :
(EN) Systems and methods are disclosed for preparing and evolving atomic defects in diamond. Silicon vacancy spins may be cooled to temperatures equal to or below 500 mK to reduce the influence of phonons. The cooling, manipulation, and observation systems may be designed to minimize added heat into the system. A CPMG sequence may be applied to extend coherence times. Coherence times may be extended, for example, to 13 ms.
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés de préparation et d'évolution de défauts atomiques dans le diamant. Les spins de lacune de silicium peuvent être refroidis à des températures égales ou inférieures à 500 mK pour réduire l'influence des phonons. Les systèmes de refroidissement, de manipulation et d'observation peuvent être conçus pour réduire la chaleur ajoutée dans le système. Une séquence CPMG peut être appliquée pour étendre les temps de cohérence. Les temps de cohérence peuvent être étendus, par exemple, à 13 ms.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)