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1. (WO2019033003) DÉPÔT SÉLECTIF DE FILM À L'AIDE D'UNE DÉSACTIVATION D'HALOGÈNE
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N° de publication : WO/2019/033003 N° de la demande internationale : PCT/US2018/046277
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-Ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs :
TAPILY, Kandabara N.; US
TSUNOMURA, Takaaki; JP
Mandataire :
LUDVIKSSON, Audunn; US
Données relatives à la priorité :
62/544,46011.08.2017US
Titre (EN) SELECTIVE FILM DEPOSITION USING HALOGEN DEACTIVATION
(FR) DÉPÔT SÉLECTIF DE FILM À L'AIDE D'UNE DÉSACTIVATION D'HALOGÈNE
Abrégé :
(EN) Embodiments of the invention provide selective film deposition in a recessed feature of a substrate using halogen deactivation. A substrate processing method includes a) providing a substrate containing a field area and a recessed feature having a sidewall and a bottom, b) exposing the substrate to a first precursor gas to form a first precursor layer on the substrate, c) exposing the substrate to a plasma-excited halogen-containing gas to deactivate or at least partially remove the first precursor layer on the field area of the substrate and the bottom of the recessed feature, and d) exposing the substrate to a second precursor gas that reacts with the first precursor layer to form a material layer on the sidewall of the recessed feature but not on the field area and the bottom of the recessed feature that has been deactivated by the plasma-excited halogen-containing gas.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention fournissent un dépôt de film sélectif dans une partie creuse d'un substrat à l'aide d'une désactivation d'halogène. Un procédé de traitement de substrat consiste à : a) fournir un substrat contenant une zone de champ et une partie creuse ayant une paroi latérale et un fond, b) exposer le substrat à un premier gaz précurseur pour former une première couche de précurseur sur le substrat, c) exposer le substrat à un gaz contenant un halogène excité par plasma pour désactiver ou retirer au moins partiellement la première couche de précurseur sur la zone de champ du substrat et le fond de la partie creuse, et d) exposer le substrat à un second gaz précurseur qui réagit avec la première couche de précurseur pour former une couche de matériau sur la paroi latérale de la partie creuse mais pas sur la zone de champ et le fond de la partie creuse qui a été désactivée par le gaz contenant un halogène excité par plasma.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)