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1. (WO2019032789) PROCÉDÉ D'AUGMENTATION DE LA DENSITÉ DE CAPACITÉ D'UN CONDENSATEUR MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) 3D INTÉGRÉ POUR UNE ENCAPSULATION SUR TRANCHE
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N° de publication : WO/2019/032789 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045943
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
H01L 49/02 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49
Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02
Dispositifs à film mince ou à film épais
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
SUO, Peng; SG
GU, Yu; SG
SEE, Guan Huei; SG
SUNDARRAJAN, Arvind; SG
Mandataire :
HALE, Jeffrey D.; US
TABOADA, Alan; US
MOSER, JR., Raymond R.; US
LINARDAKIS, Leonard P.; US
Données relatives à la priorité :
15/673,47810.08.2017US
Titre (EN) METHOD OF INCREASING EMBEDDED 3D METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR CAPACITANCE DENSITY FOR WAFER LEVEL PACKAGING
(FR) PROCÉDÉ D'AUGMENTATION DE LA DENSITÉ DE CAPACITÉ D'UN CONDENSATEUR MÉTAL-ISOLANT-MÉTAL (MIM) 3D INTÉGRÉ POUR UNE ENCAPSULATION SUR TRANCHE
Abrégé :
(EN) Methods of processing a substrate include providing a substrate having a polymer dielectric layer and a metal layer formed atop the polymer dielectric layer; depositing a plurality of polymer layers atop the substrate; patterning the plurality of polymer layers to form at least one via that extends from a top surface of an uppermost polymer layer to a top surface of the metal layer; and forming a three- dimensional metal-insulator-metal (3D MIM) capacitance stack in the at least one via and over a portion of the metal layer and the plurality of polymer layers.
(FR) L'invention concernent des procédés de traitement d'un substrat comprenant la fourniture d'un substrat ayant une couche diélectrique polymère et une couche métallique formée au-dessus de la couche diélectrique polymère ; le dépôt d'une pluralité de couches de polymères au-dessus du substrat ; la formation de motifs sur la pluralité de couches de polymères pour former au moins un trou d'interconnexion qui s'étend d'une surface supérieure d'une couche de polymère supérieure à une surface supérieure de la couche métallique ; et la formation d'un empilement de capacité métal-isolant-métal tridimensionnel (MIM 3D) dans l'au moins un trou d'interconnexion et sur une partie de la couche métallique et de la pluralité de couches polymères.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)