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1. (WO2019032419) CIRCUIT OSCILLATEUR À QUARTZ BASSE TENSION COMPATIBLE AVEC UN GPIO
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N° de publication : WO/2019/032419 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045309
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 06.08.2018
CIB :
H03B 5/36 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
B
PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVE; PRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS
5
Production d'oscillation au moyen d'un amplificateur comportant un circuit de réaction entre sa sortie et son entrée
30
l'élément déterminant la fréquence étant un résonateur électromécanique
32
un résonateur piézo-électrique
36
l'élément actif de l'amplificateur comportant un dispositif semi-conducteur
Déposants :
MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US/US]; 2355 West Chandler Blvd. Chandler, Arizona 85224-6199, US
Inventeurs :
VIJAYARAGHAVAN, Rajan; US
KUMAR, Ajay; US
KARNIK, Kiran; US
Mandataire :
SLAYDEN, Bruce W., II; US
Données relatives à la priorité :
15/987,39823.05.2018US
62/542,05007.08.2017US
Titre (EN) LOW-VOLTAGE CRYSTAL OSCILLATOR CIRCUIT COMPATIBLE WITH GPIO
(FR) CIRCUIT OSCILLATEUR À QUARTZ BASSE TENSION COMPATIBLE AVEC UN GPIO
Abrégé :
(EN) Low voltage crystal oscillator having native NMOS transistors used for coupling/decoupling to/from GPIO. The native NMOS transistors function properly at a low supply voltage when on (low resistance) and a high supply voltage when off (high resistance). Oscillator Gm driver bias resistors are repurposed to degenerate the native NMOS transistors when they are off, thereby reducing the leakage current thereof (oscillator circuit decoupled from GPIO nodes). This ensures compliance with the CMOS IIH leakage current specification during an external clock (EC) mode at a high supply voltage.
(FR) La présente invention concerne un oscillateur à quartz basse tension, comprenant des transistors NMOS natifs servant au couplage à un GPIO ou au découplage de ce dernier. Les transistors NMOS natifs fonctionnent correctement à une faible tension d'alimentation quand ils sont sous tension (faible résistance) et à une tension d'alimentation élevée quand ils sont hors tension (résistance élevée). Des résistances de polarisation de pilote Gm d'oscillateur sont transformées de façon à dégénérer les transistors NMOS natifs quand ces derniers sont hors tension, ce qui permet de réduire le courant de fuite correspondant (circuit oscillateur découplé des nœuds GPIO). Ceci garantit le respect de la spécification de courant de fuite IIH CMOS pendant un mode d'horloge externe (EC) à une tension d'alimentation élevée.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)