Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019032414) RÉDUCTION DE NUISANCE À L'AIDE D'ATTRIBUTS BASÉS SUR L'EMPLACEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/032414 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045304
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 06.08.2018
CIB :
G06T 7/00 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
T
TRAITEMENT OU GÉNÉRATION DE DONNÉES D'IMAGE, EN GÉNÉRAL
7
Analyse d'image, p.ex. à partir d'un mappage binaire pour obtenir un mappage non binaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
BRAUER, Bjorn; US
HUANG, Junqing; US
GAO, Lisheng; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
15/858,51129.12.2017US
62/542,97009.08.2017US
Titre (EN) NUISANCE REDUCTION USING LOCATION-BASED ATTRIBUTES
(FR) RÉDUCTION DE NUISANCE À L'AIDE D'ATTRIBUTS BASÉS SUR L'EMPLACEMENT
Abrégé :
(EN) Methods and systems are disclosed that provide nuisance reduction in images, such as semiconductor images that include one or more metal lines. A potential defect is correlated against pixel grey level intensity charts for two perpendicular axes. A position of the potential defect relative to a pattern, such as a metal line, is determined along the two axes. The potential defect can be classified as a defect of interest or nuisance event.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes qui permettent une réduction de nuisance dans des images, telles que des images semi-conductrices qui comprennent une ou plusieurs lignes métalliques. Un défaut potentiel est corrélé à des diagrammes d'intensité de niveau de gris de pixel pour deux axes perpendiculaires. Une position du défaut potentiel par rapport à un motif, tel qu'une ligne métallique, est déterminée le long des deux axes. Le défaut potentiel peut être classé comme un défaut d'intérêt ou un événement de nuisance.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)