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1. (WO2019032413) SÉLECTION DE SITE CRITIQUE GUIDÉE PAR INSPECTION POUR UNE MESURE DE DIMENSION CRITIQUE
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N° de publication : WO/2019/032413 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045303
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 06.08.2018
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
SARASWATULA, Jagdish Chandra; IN
YATI, Arpit; IN
PATHANGI, Hari Sriraman; IN
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
15/904,40225.02.2018US
20174102795707.08.2017IN
62/559,82018.09.2017US
Titre (EN) INSPECTION-GUIDED CRITICAL SITE SELECTION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT
(FR) SÉLECTION DE SITE CRITIQUE GUIDÉE PAR INSPECTION POUR UNE MESURE DE DIMENSION CRITIQUE
Abrégé :
(EN) Systems and methods for determining location of critical dimension (CD) measurement or inspection are disclosed. Real-time selection of locations to take critical dimension measurements based on potential impact of critical dimension variations at the locations can be performed. The design of a semiconductor device also can be used to predict locations that may be impacted by critical dimension variations. Based on an ordered location list, which can include ranking or criticality, critical dimension can be measured at selected locations. Results can be used to refine a critical dimension location prediction model.
(FR) La présente invention concerne des systèmes et des procédés permettant de déterminer l'emplacement d'une mesure ou d'une inspection de dimension critique (CD). Il est possible de sélectionner en temps réel des emplacements destinés à la prise de mesures de dimensions critiques, sur la base d'un impact potentiel des variations de dimension critiques au niveau desdits emplacements. La conception d'un dispositif à semi-conducteur peut également être utilisée pour prédire des emplacements qui peuvent être impactés par des variations de dimension critique. Sur la base d'une liste d'emplacements ordonnés, qui peut comprendre un classement ou une criticité, une dimension critique peut être mesurée à des emplacements sélectionnés. Des résultats peuvent être utilisés pour affiner un modèle de prédiction d'emplacement de dimension critique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)