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1. (WO2019032376) STRUCTURE DE PIÈGE À CHARGES COMPRENANT UNE BARRIÈRE À UNE ZONE DE BLOCAGE
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N° de publication : WO/2019/032376 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045015
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 02.08.2018
CIB :
H01L 27/11551 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 27/11529 (2017.01) ,H01L 27/11578 (2017.01) ,H01L 27/1157 (2017.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
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H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
CARLSON, Chris M.; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/675,22311.08.2017US
Titre (EN) CHARGE TRAP STRUCTURE WITH BARRIER TO BLOCKING REGION
(FR) STRUCTURE DE PIÈGE À CHARGES COMPRENANT UNE BARRIÈRE À UNE ZONE DE BLOCAGE
Abrégé :
(EN) Various embodiments, disclosed herein, include methods and apparatus having charge trap structures, where each charge trap structure includes a dielectric barrier between a gate and a blocking dielectric on a charge trap region of the charge trap structure. In various embodiments, material of the dielectric barrier of each of the charge trap structures may have a dielectric constant greater than that of aluminum oxide. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR) Divers modes de réalisation de la présente invention concernent des procédés et un appareil comprenant des structures de piège à charges, chaque structure de piège à charges comprenant une barrière diélectrique entre une grille et un diélectrique de blocage sur une zone de piège à charges de la structure de piège à charges. Dans divers modes de réalisation, le matériau de la barrière diélectrique de chacune des structures de piège à charges peut avoir une constante diélectrique supérieure à celle de l'oxyde d'aluminium. La présente invention concerne en outre un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)