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1. (WO2019032373) FORMATION DE VIDES POUR STRUCTURES DE PIÉGEAGE DE CHARGES
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N° de publication : WO/2019/032373 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044990
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 02.08.2018
CIB :
H01L 27/11582 (2017.01) ,H01L 27/11568 (2017.01)
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Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
CARLSON, Chris M.; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/675,19711.08.2017US
Titre (EN) VOID FORMATION FOR CHARGE TRAP STRUCTURES
(FR) FORMATION DE VIDES POUR STRUCTURES DE PIÉGEAGE DE CHARGES
Abrégé :
(EN) Various embodiments include methods and apparatus having a number of charge trap structures, where each charge trap structure includes a dielectric barrier between a gate and a blocking dielectric region, the blocking dielectric region located on a charge trap region of the charge trap structure. At least a portion of the gate can be separated by a void from a region which the charge trap structure is directly disposed. Additional apparatus, systems, and methods are disclosed.
(FR) Divers modes de réalisation de la présente invention comprennent des procédés et un appareil ayant un certain nombre de structures de piégeage de charges, chaque structure de piégeage de charges comprenant une barrière diélectrique entre une grille et une région diélectrique de blocage, la région diélectrique de blocage étant située sur une région de piégeage de charges de la structure de piégeage de charges. Au moins une partie de la grille peut être séparée par un vide à partir d'une région dans laquelle la structure de piégeage de charges est directement disposée. La présente invention concerne en outre un appareil, des systèmes et des procédés supplémentaires.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)