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1. (WO2019032338) ÉLARGISSEMENT DE FENÊTRE DE PROCÉDÉ AU MOYEN D'ÉLÉMENTS REVÊTUS DANS DES PROCÉDÉS DE GRAVURE AU PLASMA
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N° de publication : WO/2019/032338 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044639
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
YANG, Dongqing; US
TAN, Tien Fak; US
HILLMAN, Peter; US
ZHU, Lala; US
INGLE, Nitin K.; US
LUBOMIRSKY, Dmitry; US
SNEDIGAR, Christopher; US
XIA, Ming; US
Mandataire :
HSU, David D.; US
BERNARD, Eugene J.; US
Données relatives à la priorité :
15/670,91907.08.2017US
Titre (EN) PROCESS WINDOW WIDENING USING COATED PARTS IN PLASMA ETCH PROCESSES
(FR) ÉLARGISSEMENT DE FENÊTRE DE PROCÉDÉ AU MOYEN D'ÉLÉMENTS REVÊTUS DANS DES PROCÉDÉS DE GRAVURE AU PLASMA
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present technology may include a method of etching. The method may include mixing plasma effluents with a gas in a first section of a chamber to form a first mixture. The method may also include flowing the first mixture to a substrate in a second section of the chamber. The first section and the second section may include nickel plated material. The method may further include reacting the first mixture with the substrate to etch a first layer selectively over a second layer. In addition, the method may include forming a second mixture including products from reacting the first mixture with the substrate.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention peuvent comprendre un procédé de gravure. Le procédé peut comprendre le mélange d'effluents de plasma avec un gaz dans une première section d'une chambre pour former un premier mélange. Le procédé peut également comprendre l'écoulement du premier mélange vers un substrat dans une seconde section de la chambre. La première section et la seconde section peuvent comprendre un matériau plaqué de nickel. Le procédé peut en outre comprendre la réaction du premier mélange avec le substrat pour graver sélectivement une première couche sur une seconde couche. De plus, le procédé peut comprendre la formation d'un second mélange comprenant des produits issus de la réaction du premier mélange avec le substrat.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)