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1. (WO2019032326) DISPOSITIF DE MÉMOIRE COMPRENANT DES VIDES ENTRE DES GRILLES DE COMMANDE
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N° de publication : WO/2019/032326 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044375
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 27/11578 (2017.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 27/11529 (2017.01) ,H01L 27/02 (2006.01)
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H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 So. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
CARLSON, Chris M.; US
Mandataire :
PERDOK, Monique M.; US
ARORA, Suneel; US
BEEKMAN, Marvin L.; US
BLACK, David W.; US
SCHEER, Bradley W.; US
Données relatives à la priorité :
15/675,13011.08.2017US
Titre (EN) MEMORY DEVICE INCLUDING VOIDS BETWEEN CONTROL GATES
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE COMPRENANT DES VIDES ENTRE DES GRILLES DE COMMANDE
Abrégé :
(EN) Some embodiments include apparatuses and methods of forming the apparatuses. One of the apparatuses includes a channel to conduct current, the channel including a first channel portion and a second channel portion, a first memory cell structure located between a first gate and the first channel portion, a second memory cell structure located between a second gate and the second channel portion, and a void located between the first and second gates and between the first and second memory cell structures.
(FR) Certains modes de réalisation comprennent des appareils et des procédés de formation des appareils. Un des appareils comprend un canal servant à conduire un courant, le canal comprenant une première partie de canal et une seconde partie de canal, une première structure de cellule de mémoire située entre une première grille et la première partie de canal, une seconde structure de cellule de mémoire située entre une seconde grille et la seconde partie de canal, et un vide situé entre les première et seconde grilles et entre les première et seconde structures de cellule de mémoire.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)