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1. (WO2019032282) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE DÉSHALOGÉNATION SANS PLASMA
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N° de publication : WO/2019/032282 N° de la demande internationale : PCT/US2018/043437
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 24.07.2018
CIB :
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
ZHU, Ji; US
KUMAR, Jatinder; US
KAWAGUCHI, Mark; US
ANGELOV, Ivelin; US
KOSCHE, Serge; US
Mandataire :
WIGGINS, Michael D.; US
AMBROSE, John; US
AQUINO, Damian M.; US
BARNETT, Scott D.; US
BENSON, Tyson B.; US
BERBERICH, Jeanette M.; US
BRENNAN, Michael P.; US
BROCK, Christopher M.; US
CASTELLANO, John A. III; US
CHANG, Alex C.; US
CHAPP, Jeffrey J.; US
CUTLER, Matthew L.; US
DALEY, Donald J.; US
DELASSUS, Gregory S.; US
DOERR, Michael P.; US
DOWDY, Stephanie L.; US
DRYSDALE, Nicholas S.; US
ELCHUK, Mark D.; US
ERJAVAC, Stanley M.; US
FALCOFF, Monte L.; US
FITZPATRICK, John W.; US
FORBIS, Glenn E.; US
FOSS, Stephen J.; US
FRANKLIN, Clarence C.; US
FRENTRUP, Mark A.; US
FULLER, III, Roland A.,; US
FUSSNER, Anthony G.; US
HEIST, Jason A.; US
HILTON, Michael E.; US
HOYT, Blair D.; US
KELLER, Paul A.; US
KESKAR, Hemant M.; US
KORAL, Elizabeth; US
KOTSIS, Damian H.; US
LAFATA, Joseph M.; US
LEE, Kisuk; US
LUCHSINGER, James B.; US
MACINTYRE, Timothy D.; US
MALINZAK, Michael; US
MARTIN, Timothy J.; US
MASSEY, Ryan W.; US
MEYER, Greg W.; US
MIERZWA, Kevin G.; US
MILLER, H. Keith; US
MOUSTAKAS, George D.; US
NABI, Tarik M.; US
NYE, Michael R.; US
OLSON, Stephen T.; US
PANKA, Brian G.; US
RAKERS, Leanne; US
ROBINSON, Douglas A.; US
SCHIVLEY, G. Gregory; US
SCHMIDT, Michael J.; US
SEITZ, Brent G.; US
SIMINSKI, Robert M.; US
SMITH, Corey E.; US
SMITH, Michael L.; US
SNYDER, Jeffrey L.; US
STRAUSS, Ryan N.; US
SUTER, David L.; US
TAYLOR, Michael L.; US
TAYLOR, W.R. Duke; US
TEICH, Michael L.; US
THOMAS, Michael J.; US
TUCKER, JR., David J.; US
UTYKANSKI, David P.; US
VARCO, Michael A.; US
WADE, Bryant E.; US
WALKER, Donald G.; US
WALSH, Joseph E., Jr.; US
WANGEROW, Steven D.; US
WARNER, Richard W.; US
WAXMAN, Andrew M.; US
WELCH, Gerald T.; US
WHEELOCK, Bryan K.; US
WOODSIDE WOJTALA, Jennifer; US
YACURA, Gary D.; US
ZALOBSKY, Michael D.; US
Données relatives à la priorité :
15/671,92608.08.2017US
Titre (EN) SYSTEMS AND METHODS FOR PLASMA-LESS DE-HALOGENATION
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE DÉSHALOGÉNATION SANS PLASMA
Abrégé :
(EN) A substrate processing system to remove residual halogen species from a substrate includes a processing chamber and a substrate support arranged in the processing chamber to support a substrate. The substrate includes residual halogen species. A heater heats the substrate to a temperature in a predetermined temperature range from 100°C to 700°C during a processing period. A chamber pressure controller controls pressure inside the processing chamber in a predetermined pressure range greater than 10 Torr and less than 800 Torr during the processing period. A vapor generator supplies water vapor at least one of in the processing chamber or to the processing chamber during the processing period.
(FR) La présente invention concerne un système de traitement de substrat afin d'éliminer des espèces halogènes résiduelles d'un substrat, comprenant une chambre de traitement et un support de substrat placé dans la chambre de traitement de manière à soutenir un substrat. Le substrat comporte des espèces halogénées résiduelles. Un dispositif de chauffage chauffe le substrat à une température comprise dans une plage de températures prédéfinie de 100 °C à 700 °C pendant une période de traitement. Un dispositif de régulation de pression de chambre régule la pression interne de la chambre de traitement dans une plage de pressions prédéterminée supérieure à 10 Torr et inférieure à 800 Torr pendant la période de traitement. Un générateur de vapeur fournit de la vapeur d'eau dans la chambre de traitement et/ou vers la chambre de traitement pendant la période de traitement.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)