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1. (WO2019032146) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN MATÉRIAU DE PASSIVATION SITUÉ DE MANIÈRE DISCRÈTE, ET SYSTÈMES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2019/032146 N° de la demande internationale : PCT/US2018/022565
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 15.03.2018
CIB :
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01) ,H01L 21/52 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs :
DAS, Mayukhee; US
HACKER, Jonathan, S.; US
GAMBEE, Christopher, J.; US
TIWARI, Chandra, S.; US
Mandataire :
PARKER, Paul, T.; US
ARNETT, Stephen, E.; US
SUMEDHA, Ahuja; US
AI, Bing; US
ARAIZA, Alberto, G.; US
Données relatives à la priorité :
15/672,00608.08.2017US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING DISCRETELY LOCATED PASSIVATION MATERIAL, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR AYANT UN MATÉRIAU DE PASSIVATION SITUÉ DE MANIÈRE DISCRÈTE, ET SYSTÈMES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Semiconductor devices having discretely located passivation material are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor device assembly can include a bond pad having a bonding surface with a process artifact. A passivation material can be positioned to at least partially fill a portion of the process artifact. A conductive structure can be positioned to extend across the bonding surface of the bond pad, and a conductive interconnect can extend from the conductive structure.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à semi-conducteur ayant un matériau de passivation situé de manière discrète. Dans un mode de réalisation, un ensemble dispositif à semi-conducteur peut comprendre un plot de connexion ayant une surface de liaison avec un artefact de traitement. Un matériau de passivation peut être positionné pour remplir au moins partiellement une partie de l'artefact de traitement. Une structure conductrice peut être positionnée de façon à s'étendre à travers la surface de liaison du plot de connexion, et une interconnexion conductrice peut s'étendre à partir de la structure conductrice.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)