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1. (WO2019031755) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT AYANT UN FILM MINCE À BASE DE NITRURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET GABARIT POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/031755 N° de la demande internationale : PCT/KR2018/008670
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
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caractérisés par les électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
12
ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
Déposants :
주식회사 루미스타 LUMISTAR CO., LTD [KR/KR]; 경기도 안산시 상록구 한양대학로 55 419호 (사동, 창업보육센터) (Sa-dong, Business incubator) 419-ho, 55, Hanyangdaehak-ro, Sangrok-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15588, KR
Inventeurs :
최유항 CHOI, Yuhang; KR
Mandataire :
문두현 MOON, Doohyun; KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-010092409.08.2017KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DEVICE HAVING NITRIDE-BASED THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR AND TEMPLATE FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT AYANT UN FILM MINCE À BASE DE NITRURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET GABARIT POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 질화물계 박막을 갖는 발광 소자, 이의 제조 방법 및 반도체 소자 제조용 템플릿
Abrégé :
(EN) Provided are a light emitting device having a nitride-based thin film, a manufacturing method therefor and a template for manufacturing a semiconductor device. The light emitting device having a nitride-based thin film, according to an embodiment of the present invention, comprises: a separation layer, which comprises an aperture part and remains after a separation process using a laser lift-off method; a first conductive base semiconductor layer, which has the outer wall exposed to the aperture part and is formed of a nitride-based semiconductor on the separation layer; a first conductive semiconductor layer comprising a first conductive additional semiconductor layer; an active layer and a second conductive semiconductor layer sequentially arranged on the first conductive semiconductor layer; and electrodes connected to the first and second conductive semiconductor layers, and spaced from each other, wherein the separation layer has higher separation process selectivity than the first conductive base semiconductor layer when the laser lift-off method is carried out.
(FR) L'invention concerne un dispositif électroluminescent ayant un film mince à base de nitrure, son procédé de fabrication et un gabarit pour fabriquer un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif électroluminescent ayant un film mince à base de nitrure, selon un mode de réalisation de la présente invention, comprend : une couche de séparation, qui comprend une partie d'ouverture et reste après un processus de séparation à l'aide d'un procédé de décollement au laser; une première couche semi-conductrice de base conductrice, qui a la paroi externe exposée à la partie d'ouverture et est formée d'un semi-conducteur à base de nitrure sur la couche de séparation; une première couche semi-conductrice conductrice comprenant une première couche semi-conductrice supplémentaire conductrice; une couche active et une seconde couche semi-conductrice conductrice disposées de manière séquentielle sur la première couche semi-conductrice conductrice; et des électrodes connectées aux première et seconde couches semi-conductrices conductrices, et espacées les unes des autres, la couche de séparation présentant une sélectivité de processus de séparation supérieure à celle de la première couche semi-conductrice de base conductrice lorsque le procédé de décollement au laser est réalisé.
(KO) 질화물계 박막을 갖는 발광 소자, 이의 제조 방법 및 반도체 소자 제조용 템플릿이 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 질화물계 박막을 갖는 발광 소자는 개구부를 구비하고, 레이저 리프트 오프법에 의한 분리 공정을 통해 잔류되는 분리층과, 상기 개구부를 통해 외측벽이 노출되며 상기 분리층 상에 질화물계 반도체로 형성되는 제 1 도전형 기저 반도체층과, 제 1 도전형 추가 반도체층을 포함하는 제 1 도전형 반도체층과, 상기 제 1 도전형 반도체층 상에 순차적으로 배치되는 활성층 및 제 2 도전형 반도체층, 및 상기 제 1 및 상기 제 2 도전형 반도체층에 연결되며 서로 이격되는 전극들을 포함하고, 상기 분리층은 상기 레이저 리프트 오프법을 수행할 때, 상기 제 1 도전형 기저 반도체층보다 높은 분리 공정의 선택도를 갖는다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)