Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019031647) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE DE FILM MINCE ORGANIQUE OLED A L'AIDE D'UN DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF, DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF ET DISPOSITIF DE FORMATION DE CIBLE UTILISÉE DANS UN DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/031647 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/011601
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 19.10.2017
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/12 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,H01L 51/56 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
12
Composé organique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
56
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
소문숙 SO, Moon Sook [KR/KR]; KR
Inventeurs :
소문숙 SO, Moon Sook; KR
Mandataire :
특허법인세신 SESHIN PATENT & LAW FIRM; 서울시 금천구 가산디지털2로 123, 207호 (가산동,월드메르디앙벤처센터2차) #207, (Gasan-dong, World Meridian Venture Center 2cha), 123, Gasan digital 2-ro, Geumcheon-gu, Seoul 08505, KR
Données relatives à la priorité :
10-2017-010183910.08.2017KR
Titre (EN) OLED ORGANIC THIN-FILM LAYER FORMING METHOD USING RF SPUTTERING DEVICE, RF SPUTTERING DEVICE, AND DEVICE FOR FORMING TARGET USED IN RF SPUTTERING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE DE FILM MINCE ORGANIQUE OLED A L'AIDE D'UN DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF, DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF ET DISPOSITIF DE FORMATION DE CIBLE UTILISÉE DANS UN DISPOSITIF DE PULVÉRISATION RF
(KO) RF 스퍼터링 장치를 이용한 OLED용 유기 박막층 형성 방법 및 상기 RF 스퍼터링 장치, 그리고 상기 RF 스퍼터링 장치에서 사용되는 타겟을 성형하는 장치
Abrégé :
(EN) The present invention uses an RF sputtering device in forming an organic thin-film layer for an OLED. A method for manufacturing an organic thin-film layer for an OLED by using an RF sputtering device according to the present invention comprises the steps of: disposing a target for manufacturing an OLED organic thin-film layer at a cathode in a chamber of the RF sputtering device; maintaining a vacuum in the chamber and then injecting a reaction gas into the chamber; and applying a magnetic field and RF power to the target.
(FR) La présente invention utilise un dispositif de pulvérisation RF utilisé dans la formation d'une couche de film mince organique pour une OLED. Un procédé de fabrication d'une couche de film mince organique pour une OLED à l'aide d'un dispositif de pulvérisation RF selon la présente invention comprend les étapes consistant à : mettre à disposition une cible pour la fabrication d'une couche de film mince organique OLED au niveau d'une cathode dans une chambre du dispositif de pulvérisation RF; maintenir un vide dans la chambre puis injecter un gaz de réaction dans la chambre; et appliquer un champ magnétique et une puissance RF à la cible.
(KO) 본 발명은, OLED용 유기 박막층을 형성하는 데에 RF 스퍼터링 장치를 사용한다. 따라서, 본 발명에 따른 RF 스퍼터링 장치를 이용한 OLED용 유기 박막층의 제조 방법은: RF 스퍼터링 장치의 챔버 내부의 캐소드에 OLED 유기 박막층 제조용 타겟을 배치하는 단계; 상기 챔버 내부를 진공으로 유지한 후 반응 가스를 주입하는 단계; 상기 타겟에 자기장 및 RF 전력을 인가하는 단계를 포함한다.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)