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1. (WO2019031591) CAPTEUR DE RÉSONANCE PLASMONIQUE DE SURFACE DE TYPE À MESURE ÉLECTRIQUE, ET PUCE DE CAPTEUR DE RÉSONANCE PLASMONIQUE DE SURFACE DE TYPE À MESURE ÉLECTRIQUE UTILISÉE DANS CELUI-CI
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N° de publication : WO/2019/031591 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029979
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
G01N 21/41 (2006.01) ,G01N 27/00 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/108 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
41
Réfringence; Propriétés liées à la phase, p.ex. longueur du chemin optique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102
caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
108
la barrière de potentiel étant du type Schottky
Déposants :
イムラ・ジャパン株式会社 IMRA JAPAN KABUSHIKIKAISHA [JP/JP]; 北海道札幌市厚別区下野幌テクノパーク2丁目3番6号 2-3-6, Techno-park, Shimonopporo, Atsubetsu-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 0040015, JP
国立大学法人北海道大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION HOKKAIDO UNIVERSITY [JP/JP]; 北海道札幌市北区北8条西5丁目 Kita 8-jyo Nishi 5-chome, Kita-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 0600808, JP
Inventeurs :
鈴木 博紀 SUZUKI Hironori; JP
アリソン ジャイルズ ALLISON Giles; JP
佐々木 雅紀 SASAKI Masanori; JP
林 弘毅 HAYASHI Koki; JP
三澤 弘明 MISAWA Hiroaki; JP
上野 貢生 UENO Kosei; JP
Mandataire :
特許業務法人セントクレスト国際特許事務所 CENTCREST IP ATTORNEYS; 東京都中央区京橋2‐8‐21 喜久家ビル9階 Kikuya Bldg. 9th Floor, 2-8-21, Kyobashi, Chuo-ku, Tokyo 1040031, JP
Données relatives à la priorité :
2017-15518710.08.2017JP
Titre (EN) ELECTRICAL-MEASUREMENT-TYPE SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR, AND ELECTRICAL-MEASUREMENT-TYPE SURFACE PLASMON RESONANCE SENSOR CHIP USED IN SAME
(FR) CAPTEUR DE RÉSONANCE PLASMONIQUE DE SURFACE DE TYPE À MESURE ÉLECTRIQUE, ET PUCE DE CAPTEUR DE RÉSONANCE PLASMONIQUE DE SURFACE DE TYPE À MESURE ÉLECTRIQUE UTILISÉE DANS CELUI-CI
(JA) 電気測定型表面プラズモン共鳴センサ及びそれに用いる電気測定型表面プラズモン共鳴センサチップ
Abrégé :
(EN) An electrical-measurement-type surface plasmon resonance sensor comprising: a plasmon polariton reinforcing sensor chip, in which a sensor chip having a transparent electrode, an n-type transparent semiconductor film, and a plasmon resonance film electrode disposed in the stated order, and a prism, are disposed such that the prism, the transparent electrode, the n-type transparent semiconductor film, and the plasmon resonance film electrode are in the stated order; and an electrical measurement device that directly measures a current or voltage from the transparent electrode and the plasmon resonance film electrode.
(FR) La présente invention concerne un capteur de résonance plasmonique de surface de type à mesure électrique comprenant : une puce de capteur de renforcement de polariton de plasmon, une puce de capteur qui a une électrode transparente, un film semi-conducteur transparent de type n, et une électrode de film de résonance plasmonique disposés dans l'ordre indiqué, et un prisme, étant disposés de telle sorte que le prisme, l'électrode transparente, le film semi-conducteur transparent de type n et l'électrode de film de résonance plasmonique sont dans l'ordre indiqué. L'invention concerne en outre un dispositif de mesure électrique qui mesure directement un courant ou une tension à partir de l'électrode transparente et de l'électrode de film à résonance plasmonique.
(JA) 透明電極、n型透明半導体膜、及びプラズモン共鳴膜電極がこの順で配置されているセンサチップと、プリズムとが、前記プリズム、前記透明電極、前記n型透明半導体膜、及び前記プラズモン共鳴膜電極の順で配置されたプラズモンポラリトン増強センサチップと、 前記透明電極及び前記プラズモン共鳴膜電極から電流又は電圧を直接測定する電気的測定装置と、 を備える電気測定型表面プラズモン共鳴センサ。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)