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1. (WO2019031590) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2019/031590 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029961
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 09.08.2018
CIB :
H01L 21/677 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677
pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP/JP]; 東京都大田区羽田旭町11番1号 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP
Inventeurs :
前田 幸次 MAEDA Koji; JP
稲葉 充彦 INABA Mitsuhiko; JP
徐 海洋 XU Haiyang; JP
八嶋 哲也 YASHIMA Tetsuya; JP
Mandataire :
大野 聖二 OHNO Seiji; JP
松野 知紘 MATSUNO Tomohiro; JP
野本 裕史 NOMOTO Hiroshi; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15521310.08.2017JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé :
(EN) A substrate processing device provided with a first processing unit and a second processing unit arranged in two stages vertically. Each of the first processing unit and the second processing unit includes: a plurality of processing tanks arrayed in series; a separating wall defining a transfer space extending in an array direction outside the plurality of processing tanks; a transfer mechanism which is arranged in the transfer space and transfers a substrate between the processing tanks in the array direction; and an air-introducing duct provided in the transfer space and extending in the array direction. A fan filter unit is connected to the air-introducing duct. An exhaust duct is connected to each of the processing tanks. The air-introducing duct is formed with openings in portions opposing the processing tanks. The transfer space of the first processing unit and the transfer space of the second processing unit are separated vertically by means of a separating wall.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat comprenant une première unité de traitement et une seconde unité de traitement agencées en deux étages verticalement. Chacune de la première unité de traitement et de la seconde unité de traitement comprend : une pluralité de réservoirs de traitement disposés en série; une paroi de séparation définissant un espace de transfert s'étendant dans une direction de réseau à l'extérieur de la pluralité de réservoirs de traitement; un mécanisme de transfert qui est disposé dans l'espace de transfert et transfère un substrat entre les réservoirs de traitement dans la direction de réseau; et un conduit d'introduction d'air disposé dans l'espace de transfert et s'étendant dans la direction de réseau. Une unité de filtre de ventilateur est reliée au conduit d'introduction d'air. Un conduit d'échappement est relié à chacun des réservoirs de traitement. Le conduit d'introduction d'air est formé avec des ouvertures dans des parties opposées aux réservoirs de traitement. L'espace de transfert de la première unité de traitement et l'espace de transfert de la seconde unité de traitement sont séparés verticalement au moyen d'une paroi de séparation.
(JA) 基板処理装置は、上下二段に配置された第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを備える。第1処理ユニットおよび第2処理ユニットは、それぞれ、直列に配列された複数の処理槽と、複数の処理槽の外側に配列方向に延びる搬送空間を画定する隔壁と、搬送空間に配置され、各処理槽間にて配列方向に沿って基板を搬送する搬送機構と、搬送空間に前記配列方向に沿って延びるように設けられた導風ダクトと、を有する。導風ダクトにはファンフィルタユニットが接続されている。各処理槽には排気ダクトが接続されている。導風ダクトのうち各処理槽と対向する部分にはそれぞれ開口が形成されている。第1処理ユニットの搬送空間と第2処理ユニットの搬送空間とは、隔壁により上下に分離されている。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)