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1. (WO2019031497) FIL DE CONNEXION EN ALLIAGE DE CUIVRE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/031497 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029588
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 07.08.2018
CIB :
H01L 21/60 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
日鉄ケミカル&マテリアル株式会社 NIPPON STEEL CHEMICAL & MATERIAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010021, JP
日鉄マイクロメタル株式会社 NIPPON MICROMETAL CORPORATION [JP/JP]; 埼玉県入間市大字狭山ヶ原158番地1 158-1 Oaza Sayamagahara, Iruma-shi, Saitama 3580032, JP
Inventeurs :
小山田 哲哉 OYAMADA Tetsuya; JP
宇野 智裕 UNO Tomohiro; JP
山田 隆 YAMADA Takashi; JP
小田 大造 ODA Daizo; JP
Mandataire :
吉田 正義 YOSHIDA Tadanori; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15477009.08.2017JP
Titre (EN) Cu ALLOY BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FIL DE CONNEXION EN ALLIAGE DE CUIVRE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤ
Abrégé :
(EN) Provided is a Cu alloy bonding wire for a semiconductor device, the bonding wire being capable of satisfying the requirements of high-density LSI applications. The Cu alloy bonding wire for a semiconductor device is characterized in that, among the crystal orientations of the wire surface, the abundance ratio of <110> crystal orientation having an angular difference of 15 degrees or less relative to a direction perpendicular to one plane including the wire center axis is 25%-70% as an average area ratio.
(FR) L'invention concerne un fil de connexion en alliage de cuivre pour un dispositif à semi-conducteur, le fil de connexion pouvant satisfaire aux exigences d'applications d'intégration à grande échelle à haute densité. Le fil de connexion en alliage de cuivre pour un dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce que, parmi les orientations de cristaux de la surface de fil, le rapport d'abondance d'orientation cristalline <110> ayant une différence angulaire de 15 degrés ou moins par rapport à une direction perpendiculaire à un plan comprenant l'axe central de fil est de 25 % à 70 % en tant que rapport surfacique moyen.
(JA) 高密度LSI用途における要求を満たすことができる半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤを提供する。半導体装置用Cu合金ボンディングワイヤは、ワイヤ表面の結晶方位のうち、ワイヤ中心軸を含む1つの平面に垂直な方向に対して角度差が15度以下である<110>結晶方位の存在比率が、平均面積率で25%以上70%以下であることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)