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1. (WO2019031409) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
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N° de publication : WO/2019/031409 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029246
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01) ,C08F 20/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29
TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
C
FAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
59
Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
02
par des moyens mécaniques, p.ex. par pressage
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
F
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
20
Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
Déposants :
キヤノン株式会社 CANON KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 30-2, Shimomaruko 3-chome, Ohta-ku, Tokyo 1468501, JP
Inventeurs :
齋藤 有弘 SAITO Tomohiro; JP
伊藤 俊樹 ITO Toshiki; JP
大谷 智教 OTANI Tomonori; JP
Mandataire :
岡部 讓 OKABE Yuzuru; JP
齋藤 正巳 SAITO Masami; JP
Données relatives à la priorité :
2017-15571510.08.2017JP
Titre (EN) PATTERN FORMING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) パターン形成方法
Abrégé :
(EN) Provided is a pattern forming method which has a high filling rate and a small contact angle of a resist on a layer that is mainly composed of carbon such as SOC, and which is free from the occurrence of pattern separation. This pattern forming method sequentially comprises in the following order: an arrangement step wherein a curable composition is arranged on a base layer (102) of a substrate (101); a mold contact step wherein the curable composition and a mold (106) are brought into contact with each other; a light irradiation step wherein the curable composition is irradiated with light, thereby forming a cured film (108); and a mold release step wherein the cured film (108) and the mold (106) are separated from each other. With respect to this pattern forming method, the proportion of the number of carbon atoms relative to the total number of atoms in the base layer (102) is 80% or more; and the arrangement step comprises a first arrangement step wherein a curable composition (A1) (103) that does not substantially contain a fluorine-based surfactant is arranged on the base layer (102), and a second arrangement step wherein droplets of a curable composition (A2) (104), which has a fluorine-based surfactant concentration of 1.1% by mass or less in the components excluding the solvent, are discretely dropped on the curable composition (A1) (103).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de motif ayant un taux de remplissage élevé et un petit angle de contact d'une réserve sur une couche qui est principalement composée de carbone comme le COS et sur laquelle il n'y a pas de séparation de motif. Ce procédé de formation de motif comprend consécutivement dans l'ordre suivant : une étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable est disposée sur une couche de base (102) d'un substrat (101) ; une étape de contact de moule dans laquelle la composition durcissable et un moule (106) sont mis en contact l'un avec l'autre ; une étape d'exposition à lumière dans laquelle la composition durcissable est exposée à la lumière, formant ainsi un film durci (108) ; et une étape de démoulage dans laquelle le film durci (108) et le moule (106) sont séparés l'un de l'autre. Par rapport à ce procédé de formation de motif, la proportion du nombre d'atomes de carbone par rapport au nombre total d'atomes dans la couche de base (102) est de 80 % ou plus. L'étape d'agencement comprend une première étape d'agencement dans laquelle une composition durcissable (A1) (103) ne contenant sensiblement pas de tensioactif à base de fluor est disposée sur la couche de base (102), et une seconde étape d'agencement dans laquelle des gouttelettes d'une composition durcissable (A2) (104), ayant une concentration de tensioactif à base de fluor de 1,1 % en masse ou moins dans les constituants à l'exception du solvant, sont déposées individuellement sur la composition durcissable (A1) (103).
(JA) SOC等のカーボンを主成分とする層上でレジストの接触角が小さく、充填速度が速くパターン剥がれが起こらないパターン形成方法を提供する。そのパターン形成方法は、基板(101)の下地層(102)上に硬化性組成物を配置する配置工程と、硬化性組成物とモールド(106)とを接触させる型接触工程と、硬化性組成物に光を照射して硬化膜(108)とする光照射工程と、硬化膜(108)とモールド(106)とを引き離す離型工程と、をこの順に有するパターン形成方法であって、下地層(102)中の総原子数に対する炭素原子数の割合が80%以上であり、配置工程は、フッ素系界面活性剤を実質的に含まない硬化性組成物(A1)(103)を下地層(102)上に配置する第一の配置工程と、硬化性組成物(A1)(103)の上に、溶剤を除く成分中のフッ素系界面活性剤濃度が1.1質量%以下である硬化性組成物(A2)(104)の液滴を離散的に滴下する第二の配置工程を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)