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1. (WO2019031408) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2019/031408 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/029239
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 3/155 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
7
Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
42
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif sans possibilité de réversibilité
44
par convertisseurs statiques
48
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3
Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
02
sans transformation intermédiaire en courant alternatif
04
par convertisseurs statiques
10
utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
145
utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
155
utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Déposants :
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Inventeurs :
山平 優 YAMAHIRA Yuu; JP
松岡 哲矢 MATSUOKA Tetsuya; JP
福島 和馬 FUKUSHIMA Kazuma; JP
Mandataire :
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Données relatives à la priorité :
2017-15625711.08.2017JP
Titre (EN) POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 電力変換装置
Abrégé :
(EN) Provided is a power conversion device in which cooling efficiencies of a capacitor and a current sensor can be improved and the whole length of the device can be reduced in the projection direction of power terminals. The power conversion device is provided with: a laminate (10) obtained by laminating semiconductor modules (2) and cooling pipes (11); a capacitor (3); and a current sensor (4). The semiconductor modules (2) include upper-arm semiconductor modules (2U) and lower-arm semiconductor modules (2L). The upper-arm semiconductor modules (2U) and the lower-arm semiconductor modules (2L) are alternately laminated in the lamination direction (X direction) of the laminate (10). The capacitor (3) is disposed on one side of the laminate (10) in the orthogonal direction (Y direction) orthogonal to both the X direction and the projection direction (Z direction) of power terminals (22) in the semiconductor modules (2), and the current sensor (4) is disposed on the other side thereof.
(FR) L'invention concerne un dispositif de conversion de puissance dans lequel des rendements de refroidissement d'un condensateur et d'un capteur de courant peuvent être améliorés et toute la longueur du dispositif peut être réduite dans la direction de projection de bornes d'alimentation. Le dispositif de conversion de puissance est pourvu : d'un stratifié (10) obtenu par stratification de modules semi-conducteurs (2) et de tuyaux de refroidissement (11) ; d'un condensateur (3) ; et d'un capteur de courant (4). Les modules semi-conducteurs (2) comprennent des modules semi-conducteurs de bras supérieur (2U) et des modules semi-conducteurs de bras inférieur (2L). Les modules semi-conducteurs de bras supérieur (2U) et les modules semi-conducteurs de bras inférieur (2L) sont stratifiés en alternance dans la direction de stratification (direction X) du stratifié (10). Le condensateur (3) est disposé sur un côté du stratifié (10) dans la direction orthogonale (direction Y) orthogonale à la fois à la direction X et à la direction de projection (direction Z) de bornes d'alimentation (22) dans les modules semi-conducteurs (2), et le capteur de courant (4) est disposé sur l'autre côté de celui-ci.
(JA) コンデンサ及び電流センサの冷却効率を向上でき、かつパワー端子の突出方向における装置全体の長さを短くすることが可能な電力変換装置を提供する。半導体モジュール(2)と冷却管(11)とを積層した積層体(10)と、コンデンサ(3)と、電流センサ(4)とを備える。半導体モジュール(2)には、上アーム半導体モジュール(2U)と下アーム半導体モジュール(2L)とがある。上アーム半導体モジュール(2U)と下アーム半導体モジュール(2L)とを、積層体(10)の積層方向(X方向)に交互に積層してある。半導体モジュール(2)のパワー端子(22)の突出方向(Z方向)とX方向との双方に直交する直交方向(Y方向)における、積層体(10)の一方側にコンデンサ(3)を配置し、他方側に電流センサ(4)を配置してある。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)