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1. (WO2019031201) MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE-FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
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N° de publication : WO/2019/031201 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/027358
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 20.07.2018
CIB :
H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
125
Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145
pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
25
Détails de réalisation de résonateurs utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46
Filtres
64
utilisant des ondes acoustiques de surface
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
70
Réseaux à plusieurs accès pour connecter plusieurs sources ou charges, fonctionnant sur des fréquences ou dans des bandes de fréquence différentes, à une charge ou à une source commune
72
Réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
中川 亮 NAKAGAWA, Ryo; JP
永友 翔 NAGATOMO, Shou; JP
岩本 英樹 IWAMOTO, Hideki; JP
▲高▼井 努 TAKAI, Tsutomu; JP
Mandataire :
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
Données relatives à la priorité :
2017-15423909.08.2017JP
Titre (EN) MULTIPLEXER, HIGH-FREQUENCY FRONT END CIRCUIT, AND COMMUNICATION DEVICE
(FR) MULTIPLEXEUR, CIRCUIT FRONTAL HAUTE-FRÉQUENCE ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION
(JA) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
Abrégé :
(EN) A multiplexer comprising N acoustic wave filters with one end connected in common, wherein when the N acoustic wave filters in order from the low end of the pass band frequency are the acoustic wave filters 1, 2, … N, at least one acoustic wave filter n, excluding the acoustic wave filter with the highest pass band frequency among the N acoustic wave filters, contains one or more acoustic wave resonator, and said acoustic wave resonator has: a silicon nitride film laminated on a support substrate; a silicon oxide film laminated on the silicon nitride film; a piezoelectric body comprising lithium tantalate having a Eulerian angle θLT and being laminated on the silicon oxide film; and an IDT electrode provided on the piezoelectric body. In an acoustic wave resonator t in the multiplexer, at least one among frequencies fhs_t (n) (s = 1, 2, 3) of a first, second, and third higher order mode, and all acoustic wave filters m (n < m ≤ N) having a pass band of a higher frequency than the pass band frequency of the acoustic wave filter n satisfy any of the formulas below. fh1_t(n)>fu(m) fh1_t(n)<fl(m)
(FR) La présente invention concerne un multiplexeur comprenant N filtres à ondes acoustiques dont une extrémité est connectée en commun, dans lequel, lorsque les N filtres à ondes acoustiques en partant de l'extrémité basse de la fréquence de bande passante sont les filtres à ondes acoustiques 1, 2, … N, au moins un filtre à ondes acoustiques n, à l'exclusion du filtre à ondes acoustiques ayant la fréquence de bande passante la plus élevée parmi les N filtres à ondes acoustiques, comprend un ou plusieurs résonateurs à ondes acoustiques, ledit résonateur à ondes acoustiques comportant : un film de nitrure de silicium stratifié sur un substrat de support ; un film d'oxyde de silicium stratifié sur le film de nitrure de silicium ; un corps piézoélectrique comprenant du tantalate de lithium ayant un angle d'Euler θLT et étant stratifié sur le film d'oxyde de silicium ; et une électrode IDT disposée sur le corps piézoélectrique. Dans un résonateur à ondes acoustiques t dans le multiplexeur, au moins une fréquence parmi les fréquences fhs_t (n) (s = 1, 2, 3) d'un premier, d'un deuxième et d'un troisième mode d'ordre supérieur, et tous les filtres à ondes acoustiques (n < m ≤ N) ayant une bande passante d'une fréquence supérieure à la fréquence de bande passante du filtre à ondes acoustiques n satisfont l'une quelconque des formules ci-dessous. fh1_t(n)>fu(m) fh1_t(n)<fl(m)
(JA) 一端が共通接続されているN個の弾性波フィルタが備えられているマルチプレクサであって、N個の弾性波フィルタを通過帯域の周波数が低い方から順番に、弾性波フィルタ1、2、...Nとした場合に、N個の弾性波フィルタのうち最も通過帯域の周波数が高い弾性波フィルタを除く少なくとも1つの弾性波フィルタnが、1つ以上の弾性波共振子を含み、当該弾性波共振子は、支持基板上に積層されている窒化ケイ素膜と、窒化ケイ素膜上に積層されている酸化ケイ素膜と、酸化ケイ素膜上に積層されており、オイラー角θLTのタンタル酸リチウムからなる圧電体と、圧電体上に設けられたIDT電極とを有する。弾性波共振子tにおいて、第1、第2及び第3の高次モードの周波数fhs_t(n)(s=1、2、3)の内の少なくとも1つと、弾性波フィルタnの通過帯域の周波数よりも高い周波数の通過帯域を有するすべての弾性波フィルタm(n<m≦N)とが、下記の式のいずれかを満たしている、マルチプレクサ。 fh1_t(n)>fu(m) fh1_t(n)<fl(m)
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)