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1. (WO2019031105) COMPACT FRITTÉ D’OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
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N° de publication : WO/2019/031105 N° de la demande internationale : PCT/JP2018/025106
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 02.07.2018
CIB :
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/01 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01B 1/08 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
08
Oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
1
Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
06
composés principalement d'autres substances non métalliques
08
oxydes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
5
Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
14
comprenant des couches ou pellicules conductrices sur supports isolants
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
13
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
Déposants :
三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 1-11-1, Osaki, Shinagawa-ku, Tokyo 1418584, JP
Inventeurs :
松元 謙士 MATSUMOTO, Kenshi; JP
井上 雅樹 INOUE, Masaki; JP
中村 信一郎 NAKAMURA, Shinichiro; JP
矢野 智泰 YANO, Tomoyasu; JP
Mandataire :
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
Données relatives à la priorité :
2017-15304308.08.2017JP
Titre (EN) OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET
(FR) COMPACT FRITTÉ D’OXYDE ET CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
Abrégé :
(EN) The present invention relates to an oxide sintered compact, the component elements of which are In, Sn, Ti and O, the In content being 88.0-98.2 mass% calculated as In2O3, Sn content being 1.0-8.0 mass% calculated as SnO2 and Ti content being 0.8-4.0 mass% calculated as TiO2. With this oxide sintered contact, it is possible to obtain a sputtering target, which can form a thin film from which a transparent electrically conductive film of high transparency can be obtained and from which a transparent electrically conductive film that also has low resistance can be obtained without performing heat treatment at high temperature.
(FR) La présente invention concerne un comprimé fritté d’oxyde, dont les éléments constitutifs sont In, Sn, Ti et O, la teneur en In étant de 88,0 à 98,2 % en masse calculée en In2O3, la teneur en Sn étant de 1,0 à 8,0 % en masse calculée en SnO2 et la teneur en Ti étant de 0,8 à 4,0 % en masse calculée en TiO2. Avec ce compact fritté d’oxyde, il est possible d’obtenir une cible de pulvérisation cathodique, qui peut former un film mince à partir duquel un film électriquement conducteur transparent de transparence élevée peut être obtenu et à partir duquel un film électriquement conducteur transparent qui a également une faible résistance peut être obtenu sans effectuer un traitement thermique à haute température.
(JA) 本発明は、構成元素がIn、Sn、TiおよびOであり、Inの含有比率がIn23換算で88.0~98.2質量%であり、Snの含有比率がSnO2換算で1.0~8.0質量%であり、Tiの含有比率がTiO2換算で0.8~4.0質量%である酸化物焼結体である。本発明の酸化物焼結体により、透明性が高い透明導電膜、また、さらに抵抗が低い透明導電膜を、高温の熱処理をしなくても得ることができる薄膜を成膜できるスパッタリングターゲットを得ることができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)