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1. (WO2019030517) DISPOSITIF DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, PROCÉDÉ ET APPAREIL
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N° de publication : WO/2019/030517 N° de la demande internationale : PCT/GB2018/052253
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 07.08.2018
CIB :
H04L 9/32 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 29/165 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
L
TRANSMISSION D'INFORMATION NUMÉRIQUE, p.ex. COMMUNICATION TÉLÉGRAPHIQUE
9
Dispositions pour les communications secrètes ou protégées
32
comprenant des moyens pour vérifier l'identité ou l'autorisation d'un utilisateur du système
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
161
comprenant plusieurs des éléments prévus en H01L29/1672
165
dans différentes régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
88
Diodes à effet tunnel
Déposants :
QUANTUM BASE LIMITED [GB/GB]; Alpha House 4 Greek Street Stockport Cheshire SK3 8AB, GB
Inventeurs :
YOUNG, Robert James; GB
Mandataire :
APPLEYARD LEES IP LLP; 15 Clare Road Halifax Yorkshire HX1 2HY, GB
Données relatives à la priorité :
1712839.810.08.2017GB
Titre (EN) PHYSICALLY UNCLONABLE FUNCTION DEVICE, METHOD AND APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE FONCTION PHYSIQUEMENT NON CLONABLE, PROCÉDÉ ET APPAREIL
Abrégé :
(EN) A physically unclonable function (PUF) device 1 capable of exhibiting a unique quantum mechanical effect as a result of quantum mechanical confinement exhibited by the device 1. The device 1 comprises a group IV semiconductor heterostructure. The group IV semiconductor heterostructure may comprise Silicon/Germanium. The device 1 may comprise a group IV semiconductor resonant tunnelling diode (RTD). A Si-integrated circuit, method, use, and apparatus are also provided.
(FR) Un dispositif à fonction physiquement non clonable (PUF) 1 capable de présenter un effet de mécanique quantique unique en conséquence du confinement de mécanique quantique présenté par le dispositif 1. Le dispositif 1 comprend une hétérostructure semi-conductrice du groupe IV. L'hétérostructure semi-conductrice du groupe IV peut comprendre du silicium/germanium. Le dispositif 1 peut comprendre une diode à effet tunnel résonant à semi-conducteur du groupe IV (RTD). L'invention concerne également un circuit intégré silicium, un procédé, une utilisation et un appareil.
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)