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1. (WO2019030400) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR SOLLICITER DES COUCHES DE GÉNÉRATION DE TENSION AVEC UNE PRESSION EN VUE D’UN GUIDAGE AMÉLIORÉ D’UNE FISSURE DE SÉPARATION
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N° de publication : WO/2019/030400 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/071814
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 10.08.2018
CIB :
B23K 26/00 (2014.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,B23K 26/0622 (2014.01) ,B28D 5/00 (2006.01) ,B23K 26/70 (2014.01) ,B23K 26/14 (2014.01) ,B23K 26/146 (2014.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01) ,B23K 103/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
[IPC code unknown for B23K 26/53][IPC code unknown for B23K 26/0622]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
28
TRAVAIL DU CIMENT, DE L'ARGILE OU DE LA PIERRE
D
TRAVAIL DE LA PIERRE OU DES MATÉRIAUX SEMBLABLES À LA PIERRE
5
Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
[IPC code unknown for B23K 26/70]
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
26
Travail par rayon laser, p.ex. soudage, découpage, perçage
14
avec un courant associé au faisceau laser, p.ex. un jet de gaz
[IPC code unknown for B23K 26/146]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
23
MACHINES-OUTILS; TRAVAIL DES MÉTAUX NON PRÉVU AILLEURS
K
BRASAGE OU DÉBRASAGE; SOUDAGE; REVÊTEMENT OU PLACAGE PAR BRASAGE OU SOUDAGE; DÉCOUPAGE PAR CHAUFFAGE LOCALISÉ, p.ex. DÉCOUPAGE AU CHALUMEAU; TRAVAIL PAR RAYON LASER
103
Matières à braser, souder ou découper
Déposants :
SILTECTRA GMBH [DE/DE]; Manfred-von-Ardenne-Ring 7 01099 Dresden, DE
Inventeurs :
SWOBODA, Marko; DE
RIESKE, Ralf; DE
BEYER, Christian; DE
RICHTER, Jan; DE
Mandataire :
ASCHERL, Andreas; DE
CABRERIZO, Dominik; DE
ETTMAYR, Andreas; DE
OHMER, Benjamin; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 007 585.911.08.2017DE
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR APPLYING PRESSURE TO STRESS-PRODUCING LAYERS FOR IMPROVED GUIDANCE OF A SEPARATION CRACK
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ POUR SOLLICITER DES COUCHES DE GÉNÉRATION DE TENSION AVEC UNE PRESSION EN VUE D’UN GUIDAGE AMÉLIORÉ D’UNE FISSURE DE SÉPARATION
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM BEAUFSCHLAGEN VON SPANNUNGSERZEUGUNGSSCHICHTEN MIT DRUCK ZUM VERBESSERTEN FÜHREN EINES ABTRENNRISSES
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method, according to claim 1, for separating at least one solid body layer (1), particularly a solid body disk, from a donor substrate (2). The method according to the invention comprises preferably at least the following steps: providing a donor substrate (2); producing or arranging a stress-producing layer (4) on a particularly flat surface (5) of the donor substrate (2) which axially defines the donor substrate (2); pressing at least one pressure application element (6) of a pressure application device (8) onto at least one pre-determined portion of the stress-producing layer (4), in order to press the stress-producing layer (4) onto the surface (5); separating the solid body layer (1) from the donor substrate (2) by thermally applying the stress-producing layer (4), thereby producing mechanical stress in the donor substrate (2), the mechanical stress creating a crack for separating a solid body layer (1), and the pressure application element (6) being pressed onto the stress-producing layer (4) during the thermal application of the stress-producing layer (4).
(FR) La présente invention concerne un procédé, selon la revendication 1, de séparation d’au moins une couche de solide (1), notamment un disque de solide, d’un substrat donneur (2). Le procédé selon l’invention comprend ici de préférence au moins les étapes suivantes : fourniture d’un substrat donneur (2), génération ou disposition d’une couche de génération de tension (4) au niveau d’une surface (5), notamment plane, du substrat donneur (2) qui délimite le substrat donneur (2) dans le sens axial, pressage d’au moins un élément d’application de pression (6) d’un dispositif d’application de pression (8) au niveau d’au moins une part prédéfinie de la couche de génération de tension (4) en vue de presser la couche de génération de tension (4) contre la surface (5), séparation de la couche de solide (1) du substrat donneur (2) par sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4), ce qui produit des tensions mécaniques dans le substrat donneur (2). Une fissure destinée à séparer une couche de solide (1) est produite par les tensions mécaniques et l’élément d’application de pression (6) est pressé contre la couche de génération de tension (4) pendant la sollicitation thermique de la couche de génération de tension (4).
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich gemäß Anspruch 1 auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einer Festkörperlage (1), insbesondere einer Festkörperscheibe, von einem Spendersubstrat (2). Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst dabei bevorzugt mindestens die Schritte: Bereitstellen eines Spendersubstrats (2), Erzeugen oder Anordnen einer Spannungserzeugungsschicht (4) an einer das Spendersubstrat (2) axial begrenzenden, insbesondere ebenen, Oberfläche (5) des Spendersubstrats (2), Anpressen von mindestens einem Druckbeaufschlagungselement (6) einer Druckbeaufschlagungseinrichtung (8) an zumindest einen vorbestimmten Anteil der Spannungserzeugungsschicht (4) zum Anpressen der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Oberfläche (5), Abtrennen der Festkörperlage (1) von dem Spendersubstrat (2) durch thermisches Beaufschlagen der Spannungserzeugungsschicht (4), wodurch mechanische Spannungen in dem Spendersubstrat (2) erzeugt werden, wobei durch die mechanischen Spannungen ein Riss zum Abtrennen einer Festkörperlage (1) entsteht, wobei das Druckbeaufschlagungselement (6) während der thermischen Beaufschlagung der Spannungserzeugungsschicht (4) an die Spannungserzeugungsschicht (4) angepresst wird.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)