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1. (WO2019029990) MIROIR, NOTAMMENT POUR INSTALLATION DE MICROLITHOGRAPHIE PAR PROJECTION
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N° de publication : WO/2019/029990 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/070157
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 25.07.2018
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G02B 27/00 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
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Autres systèmes optiques; Autres appareils optiques
G PHYSIQUE
21
PHYSIQUE NUCLÉAIRE; TECHNIQUE NUCLÉAIRE
K
TECHNIQUES NON PRÉVUES AILLEURS POUR MANIPULER DES PARTICULES OU DES RAYONNEMENTS IONISANTS; DISPOSITIFS D'IRRADIATION; MICROSCOPES À RAYONS GAMMA OU À RAYONS X
1
Dispositions pour manipuler des particules ou des rayonnements ionisants, p.ex. pour focaliser ou pour modérer
06
utilisant la diffraction, la réfraction ou la réflexion, p.ex. monochromateurs
Déposants :
WYLIE-VAN EERD, Ben [NZ/NZ]; NZ (US)
BIJKERK, Frederik [NL/NL]; NL (US)
HILD, Kerstin [DE/DE]; DE (US)
GRUNER, Toralf [DE/DE]; DE (US)
SCHULTE, Stefan [DE/DE]; DE (US)
WEYLER, Simone [DE/DE]; DE (US)
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW)
Inventeurs :
WYLIE-VAN EERD, Ben; NZ
BIJKERK, Frederik; NL
HILD, Kerstin; DE
GRUNER, Toralf; DE
SCHULTE, Stefan; DE
WEYLER, Simone; DE
Mandataire :
FRANK, Hartmut; DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 213 900.509.08.2017DE
Titre (EN) MIRROR, IN PARTICULAR FOR A MICROLITHOGRAPHIC PROJECTION EXPOSURE SYSTEM
(FR) MIROIR, NOTAMMENT POUR INSTALLATION DE MICROLITHOGRAPHIE PAR PROJECTION
(DE) SPIEGEL, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a mirror, in particular for a microlithographic projection exposure system, comprising a mirror substrate (12, 32, 52), which mirror has a reflection layer stack (21, 41, 61) for reflecting electromagnetic radiation of a working wavelength hitting the optical active surface (11, 31, 51) and has at least one piezoelectric layer (16, 36, 56), which is arranged between the mirror substrate and the reflection layer stack and to which an electric field for producing locally variable deformation can be applied by means of a first electrode arrangement (20, 40, 60) located on the side of the piezoelectric layer facing the reflection layer stack and by means of a second electrode arrangement (14, 34, 54) located on the side of the piezoelectric layer facing the mirror substrate. According to one aspect, a bracing layer (98) is provided, which reduces a sinking of the piezoelectric layer (96) into the mirror substrate (92) accompanying the application of an electric field in comparison with an analogous design without the bracing layer and thus increases the effective deflection of the piezoelectric layer (96).
(FR) L'invention concerne un miroir de l’invention, destiné en particulier à une installation de microlithographie par projection, pourvu d’un substrat de miroir (12, 32, 52), comprenant : un empilement de couches de réflexion (21, 41, 61) destiné à réfléchir le rayonnement électromagnétique incident à la surface active optique (11, 31, 51) et ayant une longueur d’onde de travail, et au moins une couche piézoélectrique (16, 36, 56) qui est disposée entre le substrat de miroir et l’empilement de couches de réflexion et qui, pour générer une déformation localement variable, peut être soumis à un champ électrique par le biais d’un premier ensemble d’électrodes (20, 40, 60) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face à l’empilement de couches de réflexion et d’un deuxième ensemble d’électrodes (14, 34, 54) situé du côté de la couche piézoélectrique faisant face au substrat miroir. Selon un aspect, une couche de contrainte (98) est prévue qui réduit l’enfoncement, dû au champ électrique, de la couche piézoélectrique (96) dans le substrat de miroir (92) par rapport à une structure analogue sans la couche de contrainte, et augmente ainsi la déviation effective de la couche piézoélectrique (96).
(DE) Ein erfindungsgemäßer Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, mit einem Spiegelsubstrat (12, 32, 52) weist auf: Einen Reflexionsschichtstapel (21, 41, 61) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (11, 31, 51 ) auftreffender elektromagnetischer Strahlung einer Arbeitswellenlänge, und wenigstens eine piezoelektrische Schicht (16, 36, 56), welche zwischen Spiegelsubstrat und Reflexionsschichtstapel angeordnet und über eine erste, auf der dem Reflexionsschichtstapel zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (20, 40, 60) und eine zweite, auf der dem Spiegelsubstrat zugewandten Seite der piezoelektrischen Schicht befindliche Elektrodenanordnung (14, 34, 54) mit einem elektrischen Feld zur Erzeugung einer lokal variablen Deformation beaufschlagbar ist. Gemäß einem Aspekt ist eine Verspannungsschicht (98) vorgesehen, welche ein mit der Beaufschlagung mit einem elektrischen Feld einhergehendes Einsinken der piezoelektrischen Schicht (96) in das Spiegelsubstrat (92) im Vergleich zu einem analogen Aufbau ohne die Verspannungsschicht reduziert und damit die effektive Auslenkung der piezoelektrischen Schicht (96) erhöht.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)