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1. (WO2019029911) RÉSONATEUR BAW À PERTES RÉDUITES, FILTRE RF COMPRENANT UN RÉSONATEUR BAW ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSONATEUR BAW
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N° de publication : WO/2019/029911 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/067963
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 03.07.2018
CIB :
H03H 3/02 (2006.01) ,H03H 9/02 (2006.01) ,H03H 9/17 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
02
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02
Détails
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9
Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15
Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17
ayant un résonateur unique
Déposants :
RF360 EUROPE GMBH [DE/DE]; Anzinger Str. 13 81671 München, DE
Inventeurs :
SCHIEK, Maximilian; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734 80007 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2017 117 869.407.08.2017DE
Titre (EN) BAW RESONATOR WITH REDUCED LOSSES, RF FILTER COMPRISING A BAW RESONATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING A BAW RESONATOR
(FR) RÉSONATEUR BAW À PERTES RÉDUITES, FILTRE RF COMPRENANT UN RÉSONATEUR BAW ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN RÉSONATEUR BAW
Abrégé :
(EN) A BAW resonator (RES) with reduced losses, an RF filter with a BAW resonator and a method of manufacturing a BAW resonator are provided. The BAW resonator has a bottom electrode layer (BEL), a top electrode layer (TEL) and an acoustic reflector (REF) between the bottom electrode layer and the top electrode layer. The reflector is arranged in the edge region (ER) surrounding the active region (AR) and follows the perimeter of the resonator. The reflector may be realized by a recess in the piezoelectric material (PM). The top electrode (TE) may fully or partially cover the recess (TR).
(FR) L'invention concerne un résonateur (RES) BAW à pertes réduites, un filtre RF comprenant un résonateur BAW et un procédé de fabrication d'un résonateur BAW. Le résonateur BAW contient une couche d'électrode inférieure (BEL), une couche d'électrode supérieure (TEL) et un réflecteur acoustique (REF) situé entre la couche d'électrode inférieure et la couche d'électrode supérieure. Le réflecteur est disposé dans la région de bord (ER) entourant la région active (AR) et suit le périmètre du résonateur. Le réflecteur peut être réalisé au moyen d'une cavité dans le matériau piézoélectrique (PM). L'électrode supérieure (TE) peut recouvrir entièrement ou partiellement la cavité (TR).
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)