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1. (WO2019029861) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2019/029861 N° de la demande internationale : PCT/EP2018/065055
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 07.06.2018
CIB :
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0745 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0725
Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
Déposants :
AE 111 AUTARKE ENERGIE GMBH [AT/AT]; St. Veiter Str. 5 9556 Liebenfels, AT
Inventeurs :
SCHÜPPEN, Andreas Paul; AT
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
17185538.009.08.2017EP
Titre (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Abrégé :
(EN) In one embodiment an optoelectronic semiconductor component (1), preferably being a silicon-based tandem solar cell, has a front side (10), a first diode (2) and a second diode (4). The first diode (2) is situated closer to the front side (10) than the second diode (4) and the diodes (2, 4) are arranged successively in a direction away from the front face (10) An electrical tunnel contact (3) is situated between the first and second diode (2, 4). The semiconductor component (1) is silicon-based. The first diode (2) comprises at least one sublayer (21, 22, 23) made of SiGeC. The second diode is a Si-diode with a diode layer (41) made of SinGe1-n, where 0 ≤ n ≤ 1.
(FR) L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un élément semi-conducteur (1) optoélectronique qui est de préférence une cellule solaire tandem à base de silicium et qui comporte un côté avant (10) ainsi qu'une première diode (2) et une seconde diode (4). La première diode (2) se trouve davantage à proximité du côté avant (10) que la seconde diode (4), et les diodes (2, 4) se suivent l'une l'autre dans une direction s'éloignant du côté avant (10). Un contact tunnel (3) électrique se trouve entre la première et la seconde diode (2, 4). Le composant semi-conducteur (1) est à base de silicium. La première diode (2) comprend au moins une couche partielle (21, 22, 23) composée de SiGeC. La seconde diode est une diode en Si avec une couche (41) de diode composée de SinGe1-n. S'applique ici 0 ≤ n ≤ 1.
(DE) In einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauelement (1), das bevorzugt eine auf Silizium basierende Tandemsolarzelle ist, eine Vorderseite (10) sowie eine erste Diode (2) und eine zweite Diode (4) auf. Die erste Diode (2) befindet sich näher an der Vorderseite (10) als die zweite Diode (4) und die Dioden (2, 4) folgen in Richtung weg von der Vorderseite (10) einander nach. Ein elektrischer Tunnelkontakt (3) befindet sich zwischen der ersten und der zweiten Diode (2, 4). Das Halbleiterbauelement (1) basiert auf Silizium. Die erste Diode (2) umfasst zumindest eine Teilschicht (21, 22, 23) aus SiGeC. Die zweite Diode ist eine Si-Diode mit einer Diodenschicht (41) aus SinGe1-n. Dabei gilt 0 ≤ n ≤ 1.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)