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1. (WO2019029506) STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2019/029506 N° de la demande internationale : PCT/CN2018/099100
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 07.08.2018
CIB :
H01L 23/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
46
impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
Déposants :
苏州能讯高能半导体有限公司 DYNAX SEMICONDUCTOR, INC. [CN/CN]; 中国江苏省昆山市 玉山镇晨丰路18号 No.18, Chenfeng Road, Yushan Zhen Kunshan, Jiangsu 215300, CN
Inventeurs :
吴传佳 WU, Chuanjia; CN
裴轶 PEI, Yi; CN
Mandataire :
北京市中咨律师事务所 ZHONGZI LAW OFFICE; 中国北京市 西城区平安里西大街26号新时代大厦7层 7F, New Era Building, 26 Pinganli Xidajie, Xicheng District Beijing 100034, CN
Données relatives à la priorité :
201710670923.108.08.2017CN
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE DE DISSIPATION DE CHALEUR DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体器件的散热结构及半导体器件
Abrégé :
(EN) The present invention provides a semiconductor device heat dissipation structure and semiconductor device, relating to the field of semiconductor technology. The heat dissipation structure of a semiconductor device according to one embodiment comprises: a first heat dissipation window, formed on the upper surface of said heat dissipation structure adjacent to one end of said semiconductor device; and at least one heat dissipation passageway, said heat dissipation passageway comprising an inflow passageway and an outflow passageway, and by way of the inflow passageway, a thermally conductive medium being caused to flow toward a first heat dissipation window; the inflow passageway comprises a first opening and a second opening, said first opening being away from said first heat dissipation window; said second opening being adjacent to said first heat dissipation window, and the opening area of the first opening being larger than the opening area of the second opening.
(FR) La présente invention concerne une structure de dissipation de chaleur de dispositif à semi-conducteur et un dispositif à semi-conducteur, se rapportant au domaine de la technologie de semi-conducteur. La structure de dissipation de chaleur d'un dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation comprend : une première fenêtre de dissipation de chaleur, formée sur la surface supérieure de ladite structure de dissipation de chaleur adjacente à une extrémité dudit dispositif à semi-conducteur; et au moins un passage de dissipation de chaleur, ledit passage de dissipation de chaleur comprenant un passage d'entrée et un passage de sortie, et au moyen du passage d'entrée, un milieu thermoconducteur étant amené à s'écouler vers une première fenêtre de dissipation de chaleur; le passage d'entrée comprend une première ouverture et une seconde ouverture, ladite première ouverture étant à l'opposé de ladite première fenêtre de dissipation de chaleur; ladite seconde ouverture étant adjacente à ladite première fenêtre de dissipation de chaleur, et la zone d'ouverture de la première ouverture étant plus grande que la zone d'ouverture de la seconde ouverture.
(ZH) 本发明提供了一种半导体器件的散热结构及半导体器件,涉及半导体技术领域。根据一个实施方式的半导体器件的散热结构包括:第一散热窗口,其在靠近所述半导体器件一侧的所述散热结构的上表面形成;和至少一个散热通道,所述散热通道包括流入通道和流出通道,经由所述流入通道使导热介质流向所述第一散热窗口;所述流入通道包括第一开口和第二开口,其中,所述第一开口远离所述第一散热窗口,所述第二开口靠近所述第一散热窗口,所述第一开口的开口面积大于所述第二开口的开口面积。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)