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1. (WO2019029009) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
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N° de publication : WO/2019/029009 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/106975
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 20.10.2017
CIB :
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
Déposants :
武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 305 Room, Building C5, Biolake of Optics Valley No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430000, CN
Inventeurs :
李松杉 LI, Songshan; CN
Mandataire :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806, Zhongdi Building, China University of Geosciences Base, No.8 Yuexing 3rd Road High-Tech Industrial Estate, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710669995.407.08.2017CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À COUCHES MINCES, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(ZH) 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法、液晶显示面板
Abrégé :
(EN) A thin film transistor, a method for manufacturing the thin film transistor, and a liquid crystal display panel. The thin film transistor (100) comprises: a substrate (110); a grid layer (120), provided on the substrate; an insulation layer (130), covering the grid layer; a semiconductor layer (140), provided on the insulation layer; a conductor layer (150), provided on the semiconductor layer; a source/drain layer (170), provided on the conductor layer and the insulation layer, a conductor layer or a conductive spacer (160) being provided between the source/drain layer and the semiconductor layer; and a passivation layer (180), provided on the insulation layer, the source/drain layer, and the semiconductor layer. The thin film transistor is low in leakage current and high in quality.
(FR) L'invention concerne un transistor à couches minces, un procédé de fabrication du transistor à couches minces, et un panneau d'affichage à cristaux liquides. Le transistor à couches minces (100) comprend : un substrat (110); une couche de grille (120), disposée sur le substrat; une couche d'isolation (130), recouvrant la couche de grille; une couche semi-conductrice (140), disposée sur la couche d'isolation; une couche conductrice (150), disposée sur la couche semi-conductrice; une couche de source/drain (170), disposée sur la couche conductrice et la couche d'isolation, une couche conductrice ou un espaceur conducteur (160) étant disposé entre la couche de source/drain et la couche semi-conductrice; et une couche de passivation (180), disposée sur la couche d'isolation, la couche de source/drain et la couche semi-conductrice. Le transistor à couches minces présente un faible courant de fuite et une qualité élevée.
(ZH) 一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及液晶显示面板,其中薄膜晶体管(100)包括:基板(110);栅极层(120),设置在基板上;绝缘层(130),覆盖于栅极层;半导体层(140),设置在绝缘层上;导体层(150),设置在半导体层上;源漏极层(170),设置在导体层和绝缘层上,在源漏极层和半导体层之间设置有导体层或者导电间隔部(160);钝化层(180),设置在绝缘层、源漏极层和半导体层上。该薄膜晶体管中漏电流较小,薄膜晶体管质量较高。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)