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1. (WO2019029007) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D’UN SUBSTRAT TFT, SUBSTRAT TFT ET PANNEAU D’AFFICHAGE OLED
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N° de publication : WO/2019/029007 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/106969
Date de publication : 14.02.2019 Date de dépôt international : 20.10.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
12
le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
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comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
32
avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
武汉华星光电半导体显示技术有限公司 WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS SEMICONDUCTOR DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; 中国湖北省武汉市 东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室 305 Room, Building C5, Biolake of Optics Valley No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs :
卜呈浩 BU, Chenghao; CN
方宏 FANG, Hong; CN
Mandataire :
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) CHINA WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY LLP.; 中国广东省深圳市 南山区高新区粤兴三道8号中国地质大学产学研基地中地大楼A806 Room A806, Zhongdi Building China University of Geosciences Base No.8 Yuexing 3rd Road, High-Tech Industrial Estate Nanshan District, Shenzhen, Guangdong 518057, CN
Données relatives à la priorité :
201710675438.309.08.2017CN
Titre (EN) PREPARATION METHOD OF TFT SUBSTRATE, TFT SUBSTRATE AND OLED DISPLAY PANEL
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D’UN SUBSTRAT TFT, SUBSTRAT TFT ET PANNEAU D’AFFICHAGE OLED
(ZH) 一种TFT基板的制备方法、TFT基板以及OLED显示面板
Abrégé :
(EN) Provided are a preparation method of a TFT substrate, a TFT substrate and an OLED display panel. The preparation method of a TFT substrate comprises: on a substrate sequentially forming a gate electrode (20), a gate insulating layer (30), a polysilicon layer and a barrier layer (50), wherein the polysilicon layer comprises a source region (41), a drain region (42), and a channel region (43); etching the barrier layer (50) arranged over the source region (41) and the drain region (42) with a first photomask, so that the barrier layer (50) arranged over the source region (41) and the drain region (42) is in such a thickness that allows ions to pass through, and that is not zero; and then carrying out ion implantation on the polysilicon layer. Therefore, the ion implantation is carried out on the polysilicon layer of the source region (41) and the drain region (42) without exposing the polysilicon layer of the source region (41) and the drain region (42), so that the polysilicon layer is protected from being damaged during the preparation process, thereby enhancing the stability of the TFT substrate and improving the display quality.
(FR) La présente invention concerne un procédé de préparation d’un substrat TFT, un substrat TFT et un panneau d’affichage OLED. Le procédé de préparation d’un substrat TFT comprend : la formation séquentielle, sur un substrat, d’une électrode de grille (20), d’une couche d’isolation de grille (30), d’une couche de polysilicium et d’une couche d’arrêt (50), la couche de polysilicium comprenant une zone de source (41), une zone de drain (42) et une zone de canal (43) ; la gravure de la couche d’arrêt (50) recouvrant la zone de source (41) et la zone de drain (42) au moyen d’un premier photomasque, de façon à doter la couche d’arrêt (50) recouvrant la zone de source (41) et la zone de drain (42) d’une épaisseur non nulle permettant le passage d’ions ; puis la réalisation d’une implantation ionique sur la couche de polysilicium. L’implantation ionique est par conséquent réalisée sur la couche de polysilicium de la zone de source (41) et de la zone de drain (42) sans mise à découvert de la couche de polysilicium de la zone de source (41) et de la zone de drain (42), ce qui permet d’éviter tout endommagement de la couche de polysilicium au cours du processus de préparation et d’améliorer ainsi la stabilité du substrat TFT ainsi que la qualité d’affichage.
(ZH) 提供了一种TFT基板的制备方法、TFT基板以及OLED显示面板。该TFT基板的制备方法包括在基板(10)上依次形成栅电极(20)、栅极绝缘层(30)、多晶硅层和阻挡层(50),多晶硅层包括源极区(41)、漏极区(42)和沟道区(43);通过一道光罩对源极区(41)和漏极区(42)上方的阻挡层(50)进行刻蚀,使源极区(41)和漏极区(42)上方的阻挡层(50)的厚度为离子能够穿过的厚度,且不为零;再对多晶硅层进行离子布植;通过上述方式,可以不用暴露出源极区(41)和漏极区(42)的多晶硅层既能够对源极区(41)和漏极区(42)的多晶硅层进行离子布植,避免了多晶硅层在制备过程中受到损坏,提升TFT基板的稳定性,提高显示质量。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)