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1. (WO2019028314) PUCES DEL PIXELISÉES À HAUTE DENSITÉ ET DISPOSITIFS À RÉSEAU DE PUCES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/028314 N° de la demande internationale : PCT/US2018/045102
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 03.08.2018
CIB :
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15
comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52
Encapsulations
54
ayant une forme particulière
Déposants :
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703, US
Inventeurs :
ANDREWS, Peter; US
Mandataire :
GUSTAFSON, Vincent, K.; US
Données relatives à la priorité :
62/541,03303.08.2017US
62/655,29610.04.2018US
62/655,30310.04.2018US
Titre (EN) HIGH DENSITY PIXELATED-LED CHIPS AND CHIP ARRAY DEVICES, AND FABRICATION METHODS
(FR) PUCES DEL PIXELISÉES À HAUTE DENSITÉ ET DISPOSITIFS À RÉSEAU DE PUCES, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) Pixelated-LED chips and related methods are disclosed. A pixelated-LED chip includes an active layer with independently electrically accessible active layer portions arranged on or over a light-transmissive substrate. The active layer portions are configured to illuminate different light-transmissive substrate portions to form pixels. Various enhancements may beneficially provide increased contrast (i.e., reduced cross-talk between pixels) and/or promote inter-pixel illumination homogeneity, without unduly restricting light utilization efficiency. In some aspects, a light extraction surface of each substrate portion includes protruding features and light extraction surface recesses. Lateral borders between different pixels are aligned with selected light extraction surface recesses. In some aspects, selected light extraction surface recesses extend through an entire thickness of the substrate. Other technical benefits may additionally or alternatively be achieved.
(FR) La présente invention concerne des puces DEL pixelisées et des procédés associés. Une puce DEL pixelisée comprend une couche active avec des parties de couche active accessibles électriquement de manière indépendante disposées sur ou au dessus d'un substrat transmettant la lumière. Les parties de couche active sont conçues pour éclairer différentes parties du substrat transmettant la lumière pour former des pixels. Diverses améliorations peuvent avantageusement fournir un contraste accru (à savoir une diaphonie réduite entre pixels) et/ou favoriser une homogénéité d'éclairage entre pixels, sans restreindre indûment l'efficacité d'utilisation de la lumière. Selon certains aspects, une surface d'extraction de lumière de chaque partie du substrat comprend des éléments saillants et des évidements de surface d'extraction de lumière. Des bordures latérales entre différents pixels sont alignées avec des évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés. Selon certains aspects, les évidements de surface d'extraction de lumière sélectionnés s'étendent sur toute l'épaisseur du substrat. D'autres avantages techniques peuvent en outre ou en variante être obtenus.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)