Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2019028136) DÉPÔT SÉLECTIF DE NITRURE DE SILICIUM SUR DES SURFACES HORIZONTALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2019/028136 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044800
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 01.08.2018
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 27/11524 (2017.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
[IPC code unknown for ERROR Code IPC incorrect: sous-groupe non valide (0=>999999)!]
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
3213
Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, California 94538, US
Inventeurs :
VAN SCHRAVENDIJK, Bart J.; US
GUPTA, Awnish; US
VAN CLEEMPUT, Patrick A.; US
PARK, Jason Daejin; US
Mandataire :
BERGIN, Denise S.; US
AUSTIN, James E.; US
SAMPSON, Roger S.; US
VILLENEUVE, Joseph M.; US
WEAVER, Jeffrey K.; US
Données relatives à la priorité :
62/541,26204.08.2017US
Titre (EN) SELECTIVE DEPOSITION OF SIN ON HORIZONTAL SURFACES
(FR) DÉPÔT SÉLECTIF DE NITRURE DE SILICIUM SUR DES SURFACES HORIZONTALES
Abrégé :
(EN) Methods and apparatuses for selectively depositing silicon nitride (SiN) via high-density plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) to form a SiN pad on an exposed flat surface of a nitride layer in a 3D NAND staircase structure with alternating oxide and nitride layers are provided. In some embodiments, selective etching is performed to remove undesirable buildup of SiN on sidewalls of the oxide layers of the staircase structure. Nitride layers of the staircase structure are replaced with tungsten (W) to form tungsten wordlines, while the SiN pads are replaced with tungsten to from landing pads, which prevent punchthrough of the tungsten wordlines on the staircase structure by interconnects extending thereto.
(FR) Cette invention concerne des procédés et des appareils de dépôt sélectif de nitrure de silicium (SiN) par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma haute densité (HDP CVD) pour former une pastille de SiN sur une surface plane exposée d'une couche de nitrure dans une structure en escalier NON-ET 3D avec des couches d'oxyde et de nitrure alternées. Selon certains modes de réalisation, une gravure sélective est effectuée pour éliminer l'accumulation indésirable de SiN sur les parois latérales des couches d'oxyde de la structure en escalier. Des couches de nitrure de la structure en escalier sont remplacées par du tungstène (W) pour former des lignes de mots de tungstène, tandis que les pastilles de SiN sont remplacées par du tungstène pour former des plages d'accueil, qui empêchent le perçage des lignes de mots de tungstène sur la structure en escalier par des interconnexions s'étendant jusqu'à celles-ci.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)