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1. (WO2019028054) ADDITIF DE BASE DE LEWIS BIFONCTIONNEL POUR UNE HOMOGÉNÉITÉ MICROSCOPIQUE DANS DES CELLULES SOLAIRES DE PÉROVSKITE
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N° de publication : WO/2019/028054 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044658
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/04 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0256 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
032
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
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Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, California 94607-5200, US
Inventeurs :
YANG, Yang; US
LEE, Jin-Wook; US
HAN, Tae-Hee; US
Mandataire :
DALEY, Henry J.; US
Données relatives à la priorité :
62/539,38931.07.2017US
Titre (EN) A BI-FUNCTIONAL LEWIS BASE ADDITIVE FOR MICROSCOPIC HOMOGENEITY IN PEROVSKITE SOLAR CELLS
(FR) ADDITIF DE BASE DE LEWIS BIFONCTIONNEL POUR UNE HOMOGÉNÉITÉ MICROSCOPIQUE DANS DES CELLULES SOLAIRES DE PÉROVSKITE
Abrégé :
(EN) A precursor composition for producing a perovskite active layer of a photovoltaic device is disclosed herein. The composition includes a first component comprising a plurality of first molecules of a perovskite structure to be formed by an adduct combination; a second component comprising a plurality of second molecules of the perovskite structure to be formed by the adduct combination; and a nonvolatile Lewis base. The nonvolatile base is nonvolatile above a first temperature and below a second temperature, the second temperature being greater than the first temperature. The perovskite active layer can be used to produce a photovoltaic device.
(FR) La présente invention concerne une composition de précurseur permettant de produire une couche active de pérovskite d'un dispositif photovoltaïque. La composition comprend un premier composant comprenant une pluralité de premières molécules d'une structure pérovskite à former par une combinaison de produits d'addition; un second composant comprenant une pluralité de secondes molécules de la structure pérovskite à former par la combinaison de produits d'addition; et une base de Lewis non volatile. La base non volatile est non volatile au-dessus d'une première température et en dessous d'une seconde température, la seconde température étant supérieure à la première température. La couche active de pérovskite peut être utilisée pour produire un dispositif photovoltaïque.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)