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1. (WO2019027952) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
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N° de publication : WO/2019/027952 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044484
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 31.07.2018
CIB :
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
44
caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64
Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
Déposants :
LUMILEDS LLC [US/US]; 370 West Trimble Road San Jose, California 95131, US
Inventeurs :
SHIMIZU, Ken T.; US
MASUI, Hisashi; US
ROITMAN, Daniel B.; US
Mandataire :
KELLNER, Steven M.; US
Données relatives à la priorité :
15/668,17303.08.2017US
18152555.119.01.2018EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing of a Light Emitting Device that has increased reliability and efficiency. Specifically, the disclosed methods uses Atomic Layer Deposition to improve the thermal conductivity between the ceramic plate and the LED, decrease the amount of organic contamination, and increase the efficiency of the optical output of the Light Emitting Device.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent qui a une fiabilité et une efficacité accrues. En particulier, les procédés décrits utilisent un dépôt de couche atomique pour améliorer la conductivité thermique entre la plaque céramique et la DEL, diminuer la quantité de contamination organique, et augmenter l'efficacité de la sortie optique du dispositif électroluminescent.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)