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1. (WO2019027902) PROCÉDÉ DE RECUIT PAR LAMPE FLASH PERMETTANT DE FABRIQUER DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
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N° de publication : WO/2019/027902 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044383
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 30.07.2018
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
HIRSCHMAN, Karl D. [US/US]; US
MANLEY, Robert George [US/US]; US
MUDGAL, Tarun [IN/US]; US
CORNING INCORPORATED [US/US]; One Riverfront Plaza Corning, New York 14831, US
Inventeurs :
HIRSCHMAN, Karl D.; US
MANLEY, Robert George; US
MUDGAL, Tarun; US
Mandataire :
PATHAK, Shantanu C.; US
Données relatives à la priorité :
62/539,04231.07.2017US
Titre (EN) FLASH-LAMP ANNEALING METHOD OF MAKING POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE RECUIT PAR LAMPE FLASH PERMETTANT DE FABRIQUER DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
Abrégé :
(EN) A method of making polycrystalline silicon (p-Si), including: depositing amorphous silicon to produce an amorphous silicon super-mesa; dehydrogenating the amorphous silicon; patterning the super-mesa to produce a patterned substrate; depositing a capping oxide layer on the amorphous silicon on the patterned substrate; heating the capped, patterned substrate to the crystallization temperature of the a-Si; and flash lamp annealing the patterned substrate with a xenon lamp to produce p-Si having at least one super-mesa, and the super-mesa having supersized grains. Also disclosed are p-Si articles and devices incorporating the articles, and an apparatus for making the p-Si articles.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication de silicium polycristallin (p-Si), consistant : à déposer du silicium amorphe pour produire un super mesa en silicium amorphe ; à déshydrogéner le silicium amorphe ; à former les motifs sur le super mesa pour produire un substrat à motifs ; à déposer une couche d'oxyde de recouvrement sur le silicium amorphe sur le substrat à motifs ; à chauffer le substrat à motifs recouvert à la température de cristallisation du a-Si ; et à recuire par lampe flash du substrat à motifs avec une lampe au xénon pour produire du p-Si ayant au moins un super mesa, et le super mesa ayant des grains surdimensionnés. La présente invention porte également sur des articles à base de p-Si et sur des dispositifs incorporant les articles, ainsi que sur un appareil permettant de fabriquer les articles à base de p-Si.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)