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1. (WO2019027820) DISPOSITIFS NANOPOREUX À MICRO-DEL ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2019/027820 N° de la demande internationale : PCT/US2018/044023
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 27.07.2018
CIB :
H01L 33/50 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/06 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
04
ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06
au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
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Encapsulations
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ayant une forme particulière
Déposants :
YALE UNIVERSITY [US/US]; Two Whitney Avenue New Haven, Connecticut 06511, US
Inventeurs :
HAN, Jung; US
LIN, Chia-Feng; TW
Mandataire :
DOYLE, Kathryn; US
ARNOLD, Gianna Julian; US
BROWNING, Elizabeth A.; US
CROTTY, Justin W.; US
EDDE, Chantal; US
KUO, Joseph; US
LANDRY, Brian R.; US
LAURO, Peter C.; US
MANAS, Michael G.; US
PLEHN-DUJOWICH, Debora; US
SILVA, Domingos J.; US
SIMPSON, Mark D.; US
TRUJILLO, Doreen Y.; US
YOUNG, Jacque C.; US
Données relatives à la priorité :
62/538,99431.07.2017US
Titre (EN) NANOPOROUS MICRO-LED DEVICES AND METHODS FOR MAKING
(FR) DISPOSITIFS NANOPOREUX À MICRO-DEL ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) The present invention provides LED devices comprising gallium nitride LED diodes, at least a portion of which have been modified with color-converting quantum dots. The invention also provides methods of fabricating the LED devices of the invention.
(FR) La présente invention concerne des dispositifs à DEL comprenant des diodes DEL au nitrure de gallium, dont au moins une partie a été modifiée avec des points quantiques de conversion de couleur. L'invention porte également sur des procédés de fabrication des dispositifs à DEL de l'invention.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)