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1. (WO2019027799) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À ÉTALONNAGE DE NIVEAU DE LECTURE
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N° de publication : WO/2019/027799 N° de la demande internationale : PCT/US2018/043876
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 26.07.2018
CIB :
G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/08 (2006.01) ,G06F 11/07 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
08
Circuits d'adressage; Décodeurs; Circuits de commande de lignes de mots
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
11
Détection d'erreurs; Correction d'erreurs; Contrôle de fonctionnement
07
Réaction à l'apparition d'un défaut, p.ex. tolérance de certains défauts
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs :
BESINGA, Gary, F.; US
FEI, Peng; US
MILLER, Michael, G.; US
AWUSIE, Roland, J.; US
MUCHHERLA, Kishore, Kumar; US
PADILLA, Renato, C.; US
SINGIDI, Harish, R.; US
HOEI, Jung, Sheng; US
ALSASUA, Gianni, S.; US
Mandataire :
PARKER, Paul, T.; US
ARNETT, Stephen, E.; US
BAKER, Theodore, W.; US
BRAIRTON, Scott; US
DUNHAM, Nicole, S.; US
Données relatives à la priorité :
15/669,05504.08.2017US
Titre (EN) MEMORY DEVICES WITH READ LEVEL CALIBRATION
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE À ÉTALONNAGE DE NIVEAU DE LECTURE
Abrégé :
(EN) Several embodiments of memory devices and systems with read level calibration are disclosed herein. In one embodiment, a memory device includes a controller operably coupled to a main memory having at least one memory region and calibration circuitry. The calibration circuitry is operably coupled to the at least one memory region and is configured to determine a read level offset value corresponding to a read level signal of the at least one memory region. In some embodiments, the calibration circuitry is configured to obtain the read level offset value internal to the main memory. The calibration circuitry is further configured to output the read level offset value to the controller.
(FR) Selon plusieurs modes de réalisation, l'invention concerne des dispositifs et des systèmes de mémoire à étalonnage de niveau de lecture. Selon un mode de réalisation, un dispositif de mémoire comprend un dispositif de commande couplé de manière fonctionnelle à une mémoire principale comportant au moins une région de mémoire et un circuit d'étalonnage. Le circuit d'étalonnage est couplé de manière fonctionnelle à la ou aux régions de mémoire et est configuré pour déterminer une valeur de décalage de niveau de lecture correspondant à un signal de niveau de lecture de la ou des régions de mémoire. Selon certains modes de réalisation, le circuit d'étalonnage est configuré pour obtenir la valeur de décalage de niveau de lecture interne à la mémoire principale. Le circuit d'étalonnage est en outre configuré pour délivrer en sortie la valeur de décalage de niveau de lecture au dispositif de commande.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)