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1. (WO2019027714) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS À HAUTES RÉSOLUTIONS
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N° de publication : WO/2019/027714 N° de la demande internationale : PCT/US2018/043353
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 24.07.2018
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/20 (2012.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
20
Masques ou masques vierges d'imagerie par rayonnement d'un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p.ex. par faisceau d'électrons; Leur préparation
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; LEGAL DEPARTMENT ONE TECHNOLOGY DRIVE MILPITAS, California 95035, US
Inventeurs :
XINRONG, Jiang; US
SEARS, Christopher; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N.; US
Données relatives à la priorité :
15/666,66602.08.2017US
Titre (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS WITH HIGH RESOLUTIONS
(FR) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS À HAUTES RÉSOLUTIONS
Abrégé :
(EN) A magnetic gun lens and an electrostatic gun lens can be used in an electron beam apparatus and can help provide high resolutions for all usable electron beam currents in scanning electron microscope, review, and/or inspection uses. An extracted beam can be directed at a wafer through a beam limiting aperture using the magnetic gun lens. The electron beam also can pass through an electrostatic gun lens after the electron beam passes through the beam limiting aperture.
(FR) La présente invention concerne une lentille magnétique et une lentille électrostatique qui peuvent être utilisées dans un appareil à faisceau d'électrons et qui peuvent aider à fournir de hautes résolutions pour tous les courants de faisceau d'électrons utilisables dans le contexte d'un usage avec un microscope électronique à balayage, à des fins d'examen et/ou à des fins d'inspection. À l'aide de la lentille magnétique, un faisceau extrait peut être dirigé sur une tranche à travers une ouverture qui limite les faisceaux. Le faisceau d'électrons peut également passer à travers une lentille électrostatique après que le faisceau d'électrons ait passé à travers l'ouverture qui limite les faisceaux.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)