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1. (WO2019027702) PUF À TRAJETS CONDUCTEURS SOLUBLES
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N° de publication : WO/2019/027702 N° de la demande internationale : PCT/US2018/043139
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 20.07.2018
CIB :
H04L 9/32 (2006.01) ,G06F 12/14 (2006.01) ,G09C 1/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
L
TRANSMISSION D'INFORMATION NUMÉRIQUE, p.ex. COMMUNICATION TÉLÉGRAPHIQUE
9
Dispositions pour les communications secrètes ou protégées
32
comprenant des moyens pour vérifier l'identité ou l'autorisation d'un utilisateur du système
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
14
Protection contre l'utilisation non autorisée de mémoire
G PHYSIQUE
09
ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
C
APPAREILS À CHIFFRER OU À DÉCHIFFRER POUR LA CRYPTOGRAPHIE OU D'AUTRES FINS IMPLIQUANT LA NÉCESSITÉ DU SECRET
1
Appareils ou méthodes au moyen desquels une suite donnée de signes, p.ex. un texte intelligible, est transformée en une suite de signes inintelligibles en transposant les signes ou groupes de signes ou en les remplaçant par d'autres suivant un système préétabli
Déposants :
ARIZONA BOARD OF REGENTS ON BEHALF OF NORTHERN ARIZONA UNIVERSITY [US/US]; P.O. Box 4087 Flagstaff, AZ 86011, US
Inventeurs :
CAMBOU, Bertrand Francis; US
CHIPANA QUISPE, Raul; US
HABIB, Bilal; US
Mandataire :
MILHOLLIN, Andrew C.; US
Données relatives à la priorité :
62/541,00503.08.2017US
Titre (EN) PUF WITH DISSOLVABLE CONDUCTIVE PATHS
(FR) PUF À TRAJETS CONDUCTEURS SOLUBLES
Abrégé :
(EN) The generation of "fingerprints", also called challenge-response pairs (CRPs) of Physically Unclonable Functions (PUFs), can often stress electronic components, leaving behind traces that can be exploited by crypto-analysts. A non-intrusive method to generate CRPs based on Resistive RAMs may instead be used, which does not disturb the memory cells. The injection of small electric currents (magnitude of nanoAmperes) in each cell causes the resistance of each cell to drop abruptly by several orders of magnitudes through the formation of temporary conductive paths in each cell. A repeated injection of currents into the same cell, results in an almost identical effect in resistance drop for a single cell. However, due to the small physical variations which occur during manufacturing, the cells are significantly different from each other, in such a way that a group of cells can be used as a basis for PUF authentication.
(FR) Selon l'invention, la génération d'"empreintes digitales", également appelées paires défi-réponse (CRP) de fonctions physiquement non clonables (PUF), peut souvent solliciter des composants électroniques, laissant des traces qui peuvent être exploitées par des crypto-analystes. Un procédé non intrusif pour générer des CRP sur la base de mémoires vives (RAM) résistives peut plutôt être utilisé, ce qui ne perturbe pas les cellules de mémoire. L'injection de faibles courants électriques (magnitude de nano-ampères) dans chaque cellule provoque la chute brusque de la résistance de chaque cellule selon plusieurs ordres de grandeur par la formation de trajets conducteurs temporaires dans chaque cellule. Une injection répétée de courants dans la même cellule permet d'obtenir un effet presque identique dans la chute de résistance pour une cellule unique. Cependant, en raison des petites variations physiques qui surviennent pendant la fabrication, les cellules sont significativement différentes les unes des autres, de telle sorte qu'un groupe de cellules peut être utilisé comme base pour une authentification de PUF.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)