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1. (WO2019027604) CAPTEURS À EFFET DE CHAMP
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N° de publication : WO/2019/027604 N° de la demande internationale : PCT/US2018/040439
Date de publication : 07.02.2019 Date de dépôt international : 29.06.2018
CIB :
G01N 27/414 (2006.01) ,G01N 33/543 (2006.01) ,B82Y 15/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
33
Recherche ou analyse des matériaux par des méthodes spécifiques non couvertes par les groupes G01N1/-G01N31/146
48
Matériau biologique, p.ex. sang, urine; Hémocytomètres
50
Analyse chimique de matériau biologique, p.ex. de sang, d'urine; Recherche ou analyse par des méthodes faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques par ligands; Recherche ou analyse immunologique
53
Essais immunologiques; Essais faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiques; Matériaux à cet effet
543
avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
15
Nanotechnologie pour l’interaction, la détection ou l'actionnement, p.ex. points quantiques comme marqueurs en dosages protéiques ou moteurs moléculaires
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82
NANOTECHNOLOGIE
Y
UTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
40
Fabrication ou traitement des nanostructures
Déposants :
ILLUMINA, INC. [US/US]; 5200 Illumina Way San Diego, California 92122, US
Inventeurs :
BOYANOV, Boyan; US
Mandataire :
DIERKER, Julia Church; US
KAVANAUGH, Juliet R.; US
Données relatives à la priorité :
62/539,81301.08.2017US
Titre (EN) FIELD EFFECT SENSORS
(FR) CAPTEURS À EFFET DE CHAMP
Abrégé :
(EN) Apparatus and methods are disclosed for single molecule field effect sensors having conductive channels functionalized with a single active moiety. A region of a nanostructure (e.g., such as a silicon nanowire or a carbon nanotube) provide the conductive channel. Trapped state density of the nanostructure is modified for a portion of the nanostructure in proximity with a location where the active moiety is linked to the nanostructure. In one example, the semiconductor device includes a source, a drain, a channel including a nanostructure having a modified portion with an increased trap state density, the modified portion being further functionalized with an active moiety. A gate terminal is in electrical communication with the nanostructure. As a varying electrical signal is applied to an ionic solution in contact with the nanostructure channel, changes in current observed from the semiconductor device can be used to identify composition of the analyte.
(FR) L'invention concerne un appareil et des procédés pour des capteurs à effet de champ à une seule molécule ayant des canaux conducteurs fonctionnalisés avec une seule fraction active. Une région d'une nanostructure (par exemple, telle qu'un nanofil de silicium ou un nanotube de carbone) forme le canal conducteur. La densité d'états piégés de la nanostructure est modifiée sur une partie de la nanostructure à proximité d'un site où la fraction active est liée à la nanostructure. Dans un exemple, le dispositif semiconducteur comprend une source, un drain, un canal comprenant une nanostructure ayant une partie modifiée avec une densité d'états piégés accrue, la partie modifiée étant en outre fonctionnalisée avec une fraction active. Une borne de grille est en communication électrique avec la nanostructure. Lorsqu'un signal électrique variable est appliqué à une solution ionique en contact avec le canal à nanostructure, des changements de courant observés sur le dispositif semiconducteur peuvent être utilisés pour identifier la composition de l'analyte.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)